第三代半导体3项标准最新进展 涉碳化硅/硅基氮化镓

4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过三项团体标准立项建议。 

1.《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》立项

该标准由中国电子科技集团第二研究所、北京中电科电子装备有限公司等单位提出。面向行业内存在的技术术语不统一、性能评价方法不一致等问题，描述了用于碳化硅晶锭切片的激光剥离减薄设备的通用规范，包括专用术语定义、设备组成和功能、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。本文件适用于利用激光改质系统非接触式诱导内部裂纹，进而通过剥离分片系统将SiC晶片从SiC晶锭上分离，并使用减薄系统完成表面磨削加工的设备，设备可用于加工导电型SiC单晶、半绝缘型SiC单晶、光学应用的SiC单晶。 

2.《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》立项

该标准由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出。本文件规定了650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用外延材料工艺过程中的原材料准备、工艺生长、检验检测等。本文件适用于650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用外延材料的生产、工艺过程质量控制、检验和交付依据。  

3.《硅基氮化镓外延片射频损耗评估及测试方法》立项

该标准由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出。本文件描述了硅基氮化镓外延片射频损耗的测试方法。本文件适用于硅基（4英寸、6英寸、8英寸）AlGaN/GaN外延材料，衬底晶向包括Si(111)、Si(110)、Si(100)，外延层包含AlN/AlGaN缓冲层、GaN沟道层、势垒层等。测试频率范围为10 MHz～40 GHz。

 （来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟）