标准

 4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第二研究所、北京中电科电子装备有限公司等单位提出的《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》团体标准立项建议，详细信息如下：

秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。 

T/CASAS 073《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》面向行业内存在的技术术语不统一、性能评价方法不一致等问题，描述了用于碳化硅晶锭切片的激光剥离减薄设备的通用规范，包括专用术语定义、设备组成和功能、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。 

本文件适用于利用激光改质系统非接触式诱导内部裂纹，进而通过剥离分片系统将SiC晶片从SiC晶锭上分离，并使用减薄系统完成表面磨削加工的设备，设备可用于加工导电型SiC单晶、半绝缘型SiC单晶、光学应用的SiC单晶。

中国电子科技集团公司第二研究所是国内电子行业唯一的综合性工艺研究所，是“国防科技工业军用微组装技术创新中心”、“国家第三代半导体技术创新中心（山西）”平台技术依托和主建单位。主营业务为半导体材料装备、微组装工艺装备、先进封装键合装备和智能制造系统解决方案，产品广泛应用于航空航天、船舶、兵器、核工业等国防军工和电子信息产业领域。 

中国电科二所研制的激光剥离设备采用多维度光束整形、焦点深度实时修正等技术，将激光精密加工工艺与晶体可控剥离工艺有机结合，兼容4-12英寸晶锭加工，可大幅降低晶体的切割损耗、提升加工效率、降低残余应力，尤其在大尺寸、薄晶圆的切片加工中优势显著。

北京中电科电子装备有限公司是中国电科旗下电科装备的全资控股公司，主要从事集成电路、第三代半导体及其他分立器件领域用减薄机、划片机、研磨机等设备的研发生产和销售，覆盖4 -12英寸晶圆的材料加工、芯片制造和封装等工艺段，是国内重要的半导体设备供应商。 

北京中电科公司研制的碳化硅晶锭减薄机创新采用自动化抓取与吸附双模式搬送系统，可确保大尺寸晶锭的稳定高效传输，大幅缩短加工周期，适配规模化量产需求；衬底减薄机集成自主研发的超精密空气主轴与气浮承片台等关键轴系，可将晶圆片内厚度偏差稳定控制在1微米以内，攻克了均匀性控制难题，达到国际先进水平。