日本本州东部附近海域发生7.7级地震，震源深度20千米。

本次地震影响核心区为岩手县、青森县、宫城县、福岛县，是全球半导体材料、设备、存储芯片的核心供应基地。

全球主要NAND供应商铠侠，在岩手县的2家NAND工厂也受到影响，目前已宣布停产，预计1-3天完成检查，复工时间待定。

铠侠上述2家工厂占全球NAND产能约5%-8%。

根据数据，截至2026年4月，全球NAND产能约为每月133.7万片晶圆，其中铠侠岩手Fab 1工厂约占每月5.5万片，约为全球4%产能。

当前全球存储芯片供不应求，价格持续上涨，铠侠2026年产能已全部售罄，2027年产能已被大量提前锁定。

短期停工会加剧AI服务器、汽车存储现货紧张。

一旦停工时间拉长、良率受损或报废量上升，势必牵动NAND现货与合约市场预期，将进一步加剧本已紧张的存储芯片供应。

随着三星全面退出LPDDR4/LPDDR4X DRAM赛道，国产存储厂商正快速填补市场空白。

三星目前仅对尚未收到货的客户履行LPDDR4和LPDDR4X订单，但后续订单将不再受理。

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全球电子协会指出，随着AI与数据中心需求快速升温，全球存储供应正出现结构性重新分配。

HBM需求大增，迫使产能从传统DRAM与NAND闪存技术转移，导致电子制造商普遍面临交期延长、价格上涨及市场不确定性升高等压力。

根据报告，全球存储器市场已不再只是短期景气循环波动，而是进入由AI驱动的长期供应重组阶段，对整体电子产业供应链与成本结构带来深远影响。

调查显示，62%制造商正面临供应受限或交期延长，82%受访者反映价格上涨，其中33%更认为涨幅较大；仅14%企业预期未来六个月内情况可望改善。

94%企业表示，目前仍可取得存储供应，但多数企业坦言取得条件已明显受限，不仅提高生产规划难度，也进一步压缩企业获利空间。

全球电子协会首席经济学家Shawn DuBravac表示，AI不仅在推动需求增长，更在重新定义关键资源的取得方式，代表全球电子生态系统中的存储资源排序正被根本改写。

对于未直接处于AI供应链核心的制造商而言，未来将被迫在更紧张、也更难预测的市场环境中竞争。

业内预期，随着AI基础设施投资持续加速，DRAM与NAND供应压力在2026年仍将延续，恐进一步推升电子产品短期售价，拉长生产交期，甚至导致部分产品类别出现供应短缺。

美光在官网发布功耗，称正式提供24Gb(3GB)容量版本的GDDR7显存，提供32Gbps和28Gbps两种规格。

此次美光推出24Gb GDDR7显存，将与三星电子、SK海力士形成三足鼎立的局面。

美光近期曾表示其24Gb GDDR7速度最高可达36Gb/s，但该规格尚未出现在当前公开目录中。

三星已在官网列出多款24Gb GDDR7产品，涵盖量产版和样品版，并已应用于英伟达Blackwell系列产品，包括GeForce RTX 5090笔记本显卡和RTX PRO 6000 Blackwell工作站显卡。

SK海力士则在2026年GTC大会上展示了面向视频和图形工作负载的3GB GDDR7模块。

至此，三大存储巨头均已布局3GB单芯片GDDR7市场。

闪迪在NAB 2026展会上发布了一系列存储卡新品。

其中新一代SANDISK Extreme PRO（至尊超极速）CFexpress 4.0 Type B存储卡，提供128GB/256GB/400GB/1TB/2TB/4TB六种可选容量规格，全系顺序读写速率至高达3700MB/s和3500MB/s。

其中小容量型号获得VPG-400和VPG-800认证，1TB及以上型号获得VPG-1600认证，可满足12K高速拍摄的需求。

闪迪还同步推出最高2TB容量的SANDISK Extreme PRO SDXC UHS-II存储卡，包括V90和V60两种速度等级的版本。