美国再出重拳！《MATCH 法案》加码半导体管制

美国两党参议员联合提出一项名为《硬件技术管制多边协调法案》（简称《MATCH法案》）的新提案，计划对所谓“敌对国家”的特定实体出口先进晶圆制造设备实施全面禁令，进一步收紧对华

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出口限制，试图封堵中国

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产业的发展路径。该法案若正式实施，将对中国主要晶圆制造商的设备采购和技术升级产生一定影响，但同时也将进一步倒逼中国

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产业加速自主替代进程。

据悉，这项新法案是对美国现有出口限制政策的补充与升级。早自2021年底，美国政府就已出台相关措施，限制向中国等国家出口先进晶圆制造设备，要求美国企业及荷兰、日本等盟友企业，若向中国实体出口可用于14纳米逻辑制程、18纳米等级DRAM制程以及128层以上NAND制程的设备，必须获得美国政府的出口许可。此前的管制主要针对被列入黑名单的特定晶圆厂，而非企业本身，这意味着设备制造商仍可向中芯国际等企业出口先进设备，前提是这些设备不得用于先进制程，例如

ASML

的Twinscan NXT:1950i／1980Di机型就属于此类可出口设备。

与以往政策不同，《MATCH法案》的核心变化的是将出口管制模式从“以晶圆厂为核心”，调整为“以公司为基础并涵盖关联企业”的混合模式，同时保留部分晶圆厂层级的触发条件。这一调整意味着，一些主要晶圆制造企业，将无法再通过为成熟制程晶圆厂采购先进设备，再转移至具备7纳米制程能力的工厂使用的方式，规避现有管制，进一步压缩了中国企业获取先进设备的空间。

除了调整管制模式，《MATCH法案》还试图推动全球

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设备出口管制的“一致性”。根据提案，美国将优先与荷兰、日本、韩国等盟友供应国进行协调，推动这些国家同步实施同等力度的出口管制；若协调未果，美国将扩大域外适用范围，将所有含有“超过0%美国技术”或依赖美国技术进行维修服务的外国制设备，全部纳入管制范围。其核心目的就是封堵现行管制制度中的漏洞，防止中国企业通过第三方转运等方式获取先进设备。

值得注意的是，该法案的管制范围不仅覆盖设备的初始交易，还延伸至设备的最终用途、最终使用者、再出口及后续维修服务。这意味着，任何试图通过第三方转运设备规避限制的行为，都可能导致相关方暴露于风险之中，甚至可能失去未来获取先进设备及既有设备维修服务的资格，进一步加剧中国

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企业的设备使用压力。

从法案设计初衷来看，其核心目标是切断中国企业获取先进晶圆制造设备的稳定供应链，阻碍中国建构并维持世界级晶圆厂的进程。同时，法案还引入“75%自给率门槛”作为校准机制，将管制重点锁定在中国目前无法自行生产的关键技术瓶颈领域——若中国在某类设备（如蚀刻或沉积设备）上的自给率达到75%，美国政府将不再对该类设备实施出口限制，这也从侧面反映出美国对中国

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设备自主研发能力的忌惮。

事实上，美国近年来多次加码对华

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出口管制，但其效果并未达到预期。美国著名智库战略与国际研究中心的专家曾发表分析文章指出，美国及其盟国的先进

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技术出口管制，在限制中国

人工智能

和高端

芯片

领域发展上“进展有限”，反而加速了中国国产设备与产品的应用，推动中国在先进封装、替代光刻技术等领域取得了一系列突破。

面对外部管制压力，中国

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产业正加速自主突围。数据显示，中国

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设备国产化率已从2020年的不足20%提升至2025年的35%，其中28纳米及以上成熟制程领域国产化率达到33%-35%，刻蚀、清洗设备等部分领域国产化率更是突破50%，行业普遍预计2026年整体国产化率将突破45%。以上海微电子的28纳米DUV光刻机为代表，中国国产

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设备已逐步实现量产落地，其中28纳米DUV光刻机已进入中芯国际产线跑片，良率稳定在95%以上，成本较进口设备低40%，为中国成熟制程产能稳定提供了有力支撑。

中国主要

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企业也在积极应对外部管制。中芯国际等企业一方面积极与美国政府沟通交流，与供应商合作申请出口许可证，保障现有产线正常运营；另一方面加速转向国产设备和材料采购，主动推动国产设备的产线

测试

与应用。目前，中芯国际成熟工艺各厂均保持满载运营，先进工艺也在稳步推进，与十几家厂商合作开展流片项目，展现出较强的发展韧性。

半导体

产业高度全球化，美国滥用出口管制措施，不仅严重阻碍各国正常经贸往来，破坏全球产业链供应链稳定，也会对美国及盟友企业自身造成反噬。中国拥有庞大的

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市场需求和持续的资金投入，本土产业链正在不断壮大，自主创新能力稳步提升。面对外部打压，中国

半导体

产业破除幻想、自立自强的决心坚定不移，随着国产替代进程的持续推进，必将逐步突破技术瓶颈，实现高质量发展。任何试图阻挡中国

芯片

产业发展的举措，最终都将成为产业升级的催化剂。