英特尔研发出全球最薄氮化镓芯粒，厚度仅 19 微米

 英特尔代工服务（Intel Foundry）刚刚实现了新的里程碑，成功研发出全球首款、也是最薄的氮化镓芯粒（GaN chiplet），厚度仅 19 微米。

凭借这项最新成果，英特尔在紧凑尺寸内实现了更高功率、更快速度与更高能效。英特尔代工事业部的研究团队展示了首款采用 300 毫米氮化镓-硅晶圆制成的氮化镓芯粒，厚度仅 19 微米，将为半导体行业的下一阶段发展提供动力。该成果核心亮点如下：

1. 英特尔代工服务打造出全球最薄的氮化镓（GaN）芯粒，其基底硅片厚度仅 19 微米，由 300 毫米硅基氮化镓晶圆加工制成。

2. 研究人员成功将氮化镓晶体管与传统硅基数字电路集成在单一芯片上，可直接在电源芯粒中实现复杂计算功能，无需额外搭配独立辅助芯片。

3. 严苛测试验证表明，这款全新氮化镓芯粒技术具备可靠的商用落地潜力，可满足实际应用的可靠性标准，能为数据中心、下一代 5G 及 6G 通信等领域打造更小巧、更高效的电子设备。

（来源：IT之家）