群联电子21日股价强势上涨，市场分析认为，这波上涨除了受益于资金回流半导体和存储板块外，也与公司近期释放的下半年NAND市场供应趋紧、AI相关需求持续旺盛的信号有关。

群联电子3月营收达到183.17亿元新台币，环比增长50.16%、同比增长221.48%，创下单月历史新高。

累计第一季度营收409.67亿元，同比增长196.03%，同样创下同期新高。

机构指出，在控制芯片与NAND存储解决方案需求升温带动下，群联电子业务动能明显增强，成为今日上涨的重要支撑。

群联电子董事长潘健成表示，随着AI、云计算、PC与手机需求在下半年集中释放，NAND Flash供给将转向紧张，特别是第四季度缺货情况可能进一步加剧。

这波需求主要由美国CSP带动，后续随着中国CSP扩大采购以及边缘AI应用落地，存储需求有望延续增长动能。

为应对后续备货需求，群联电子今年启动可转债及联合贷款等融资计划，整体规模超过430亿元，显示公司对后市保持乐观态度。

外资摩根士丹利最新报告指出，传统存储器市场正呈现“不对称风险”，未来走势将出现分歧。

相较于DDR4，更看好MLC NAND与NOR Flash的发展潜力，同时也指出标准型DRAM供货商在先进封装领域的新兴机遇。

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力积电总经理朱宪国在业绩说明会上表示，随着AI带动存储器与晶圆代工需求同步升温，公司存储器与逻辑代工两大产品线已明显走出谷底。

两大产品线代工价格逐步调涨，产能利用率同步上扬，营运已进入复苏轨道。

在存储器方面，尽管近期渠道商因资金压力出现抛售，加上谷歌发布TurboQuant新算法宣称可降低模型对DRAM需求，引发市场出现分歧看法。

但他认为，AI模型持续扩大、Token消耗快速成长，仍将推升整体存储器需求。

包括微软、谷歌等大型AI大厂近期已与DRAM厂商签订三年长期合约，显示供给缺口至少延续至今年下半年。

公司已于3月针对DRAM代工价格进行结构性调整，预期涨价效益将自6月起逐步显现，对营收带来双位数成长贡献。

NAND Flash市场同样转强，受韩国存储原厂淡出SLC NAND Flash市场影响，供需失衡推升价格，公司已于4月调整NAND代工报价，同时推进24纳米MLC NAND制程，预计年底试产、2027年量产。

日本东北部近海20日发生7.7级强震，波及日本多个半导体产业聚集地。

日本NAND大厂铠侠有2家NAND工厂位于岩手县，合计约占全球NAND产能的5%-8%，引发全球高度关注。

铠侠21日发表声明，公司确认北上工厂建筑结构和设施未受任何损坏，北上工厂正照常进行生产活动。

铠侠宣布面向PC OEM推出新款固态硬盘KIOXIA EG7，该型号是首款基于BiCS8 QLC客户端的存储解决方案，可提供与TLC 产品BG7相当的性能，从而降低PC产品的总拥有成本。

EG7基于DRAM-less HMB方案，采用PCIe Gen4 ×4接口，外形规格为M.2 2280/2242/2230，符合NVMe 2.0d规范，支持TCG Opal 2.02 SED加密。

KIOXIA EG7系列提供512GB/1024GB/2048GB三种容量版本，顺序读写速率最高可达7000MB/s和6200MB/s，随机读写速率最高可达1000K IOPS。

目前正向部分PC OEM出样，配备该型号SSD的PC预计从本季度开始出货。