1792亿！晶圆大厂，将新建先进封装厂!

发布时间：2026-04-22来源：半导体材料与工艺

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sk海力士惊曝:客户需求全面供不应求

SK海力士位于美国印第安纳州的首座半导体工厂已于2026年4月17日正式破土动工。该工厂是SK海力士在美国的首座半导体工厂，计划投资约38.7亿美元（约人民币1792亿元），主要用于生产人工智能存储器，特别是下一代高带宽内存（HBM4E和HBM5）。

工厂预计于2028年下半年全面投产，届时将主要量产HBM4E和HBM5等旗舰产品，以满足全球人工智能市场对高性能存储器的需求。该工厂的建设标志着SK海力士在全球半导体产业布局中的重要进展，也将进一步巩固其在HBM市场的领先地位。

两年前，SK海力士宣布了2024年的投资计划，其中包括在美国印第安纳州建设先进半导体封装工厂，用于量产高带宽内存（HBM）等人工智能（AI）存储产品。该工厂原计划2024年内动工，但因基础设施准备工作延误，开工时间推迟至2026年第一季度。此次破土动工预计将推动全球AI半导体的供应，满足市场对高性能存储器的需求。

在2024年的投资协议签署仪式上，SK海力士总裁郭鲁正表示：“我很高兴能在美国建设半导体行业首个面向人工智能的先进封装生产基地。”这一表态体现了SK海力士在全球半导体产业布局中的重要战略举措，旨在通过在美国投资建设先进封装生产基地，加强供应链韧性，满足人工智能领域对高性能存储芯片的需求，同时推动当地半导体生态的发展。

鉴于HBM的特性（涉及DRAM层的垂直堆叠），封装技术正逐渐成为决定HBM良率和性能的核心技术。SK海力士副总裁兼封装开发负责人李康旭强调：“封装能力决定着企业的生存，也是决定企业价值的关键因素。”

正是在此背景下，除了印第安纳州之外，该公司还在忠清北道清州市投资19万亿韩元建设一座先进封装工厂（P&T7）。这座先进封装厂旨在满足日益增长的HBM需求，预计将于2027年底竣工。SK海力士也在加速扩大其DRAM产能。该公司位于清州M15X工厂的第二间洁净室已于3月投入运营，比原计划提前了两个月。M15X工厂生产的DRAM主要用于HBM的生产。