SK海力士发布2026财年第一季度业绩报告。

营业利润达37.61万亿韩元，同比增长405%，超过市场预期的35.7万亿韩元，创下历史新高。

在截至3月的第一季度里，SK海力士营收同比增长198%至52.58万亿韩元，首次突破50万亿韩元大关。

第一季营业利润和销售额双双刷新单季纪录，营业利润率达到72%，超过去年第四季的58%，同样创下新高。

SK海力士表示，受惠于需求强劲，存储芯片价格走势将得以延续，今年资本支出也将大幅增加。预估DRAM和NAND存储器市场均将维持有利的价格环境。

截至2026财年第一季度末，现金及现金等价物季增19.4万亿-54.3万亿韩元，资金状况持续改善，为后续产能扩张和技术升级提供有力支撑。

受益于人工智能需求激增，存储器制造商正迎来创纪录的盈利状况，但市值仍远低于其他顶级AI芯片大厂。

自2025年8月底以来，在存储芯片价格飙升推动下，三星与SK海力士市值已分别飙涨3倍与4倍，远胜台积电77%的涨幅。

以绝对金额计算，三星与SK海力士2026年预估净利预计达1510亿美元与1150亿美元，双双超越台积电的810亿美元。

但这两家韩国存储器大厂的预估市盈率仍不足6倍，与台积电近20倍、英伟达22.4倍的水平形成鲜明对比。

不仅韩系厂商如此，全球也呈现相同趋势，美光与铠侠等市盈率同样低于10倍。

鉴于存储产业高周期性的历史，市场仍需更多时间和后续财报数据验证，才能真正相信这种高回报具备持久性。

三星在获得试产前批准（PRA）后，于今年第一季开始进行10nm第七代DRAM试产，但因良率不如预期，三星可能暂停推进量产下一代HBM。

内部透露，计划在1d良率达标前，无限期延后量产，目前尚未确定恢复时间。

1d DRAM技术将未来HBM蓝图扮演关键角色，预计应用于三星第九代HBM产品HBM5E。

由于量产计划落空，为该计划特派的约400名人员组成的1d量产工作小组实际已处于闲置状态。

但由于尚未获得产品验收批准，关键工程师目前仅在研发阶段进行信息交流。

与此同时，三星也加大投资，在韩国温阳建设一座大型晶圆厂，规模相当于四个足球场，将用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品。

该设施将负责封装、测试、物流与质量控制等关键环节，以支撑稳定量产。

随着开发加速与产能扩张，三星也将与SK海力士展开更激烈竞争，后者已在1d DRAM技术上取得良率突破。

SK海力士22日在清州科技园区产业园区举行了P&T7工厂开工仪式。

该工厂是SK海力士的第7座封装测试工厂，专门用于HBM等AI存储制造先进封装的核心环节。

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力积电在2026年第1季度线上说明会表示，已与美光启动1P制程DRAM内存的联合研发，预计2027Q1导入设备、2028H1试产、2028H2量产。

1P制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的2.5倍，可为力积电未来利基型DRAM业务的发展打下坚实技术基础。

而力积电受美光委托的PWF（后端晶圆制造）业务则预计2026Q3启动设备导入、2026Q4试产、2027Q4量产，目标月产能2万片晶圆。

并在今年4月大幅提升了NAND闪存晶圆代工的投片价格，其有望在年内完成MLC NAND工艺开发，2027H2可供客户设计定案。