博世、三安披露SiC累计出货量

发布时间：2026-04-23来源：行家说三代半

近日，博世与三安半导体相继公布SiC芯片/器件最新出货量，双方在SiC领域布局持续提速，规模化交付能力再上新台阶：

博世：自2021年以来累计交付超过6000万颗SiC芯片，未来8英寸器件产能将扩大至中等九位数级别（约4-6亿颗）。

三安半导体：一季度向维谛累计供货SiC芯片超500万颗，同比增长123%，目前SiC芯片/器件已累计出货4亿颗。

博世：

累计交付超6000万颗SiC芯片

4月22日，博世在官网发文透露，自2021年第一代SiC芯片投产以来，博世已在全球范围内交付了超过6000万颗SiC芯片。

与此同时，博世宣布推出第三代SiC芯片，相比上一代产品，其比导通电阻降低 20%，短路耐受能力提高约10%，芯片厚度减少40%，仅为 100 微米，有助于进一步提高电动汽车效率和续航里程，支持SiC技术从高端电动汽车应用向更广泛的汽车领域过渡。

博世进一步透露，第三代SiC MOSFET晶圆将采用8英寸晶圆制造，生产基地位于德国罗伊特林根以及美国加利福尼亚州罗斯维尔，预计将于2027年全面上市，目前已向全球汽车制造商提供样品。

近年来，博世大力推进SiC芯片的研发，同时提升了其生产能力和洁净室规模。今年2月，博世汽车电子事业部功率半导体和模块工程高级副总裁Ralf Bornefeld透露，他们正在位于德国罗伊特林根的生产基地进行大规模生产第二代沟槽栅SiC MOSFET，位于加利福尼亚州罗斯维尔的8英寸SiC生产基地将于2026年年中开始大规模生产。

博世集团董事会成员、博世智能出行集团主席Markus Heyn表示，未来，博世将通过德国与美国的这两座工厂，供应其创新型SiC芯片，并构建更稳健、更具韧性的供应链。中期来看，博世计划将其SiC功率半导体的制造产能扩大至中等九位数级别的器件数量（约4-6亿颗）。

三安半导体：

一季度向维谛供货超500万颗

4月23日，三安半导体在官微透露，他们旗下湖南基地生产的SiC器件已批量应用于维谛技术的电源系统。截至2026年一季度，三安半导体向维谛累计供货SiC芯片超500万颗；2025年全年供货量较上年增长80%，2026年一季度同比再增123%。

维谛技术是全球数据中心基础设施的头部企业之一，也是英伟达液冷方案的独家合作伙伴。2025年第四季度，维谛订单量同比增长252%，积压订单达95亿美元。2026年初，维谛将"突出贡献奖"颁给三安光电，其供应链负责人表示："三安的SiC器件让我们的电源模块效率再上台阶。"

据悉，针对维谛高密度数据中心供电方案，三安光电参与热仿真与器件选型，优化开关特性后帮助客户将电源模块效率提升至98%以上，并简化散热结构。下一步双方计划共建下一代高压电源联合实验室，聚焦3300V SiC MOSFET在数据中心SST系统的创新应用。

值得一提的是，三安半导体进一步透露，他们已服务于新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、工业电源、AI服务器电源、AR眼镜、家用电器、消费电子等领域的全球超800家客户，SiC芯片/器件已累计出货4亿颗。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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