Q1净利暴涨405%！SK海力士利润率已碾压台积电！

2026年4月23日，韩国存储芯片大厂SK海力士发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。在AI算力需求的持续驱动下，公司各项核心财务指标均创下历史新高，单季营收首次突破50万亿韩元大关，营业利润率高达72%，不仅刷新了自身纪录，更大幅超越了台积电、美光等全球半导体同行。

Q1营收突破50万亿韩元，净利润同比暴增405%

根据SK海力士的财报数据显示，2026年第一季度公司实现营业收入52.5763万亿韩元，同比暴涨198%，环比增长60%，这也是韩国芯片企业首次实现单季营收突破50万亿韩元。

营业利润方面，SK海力士录得37.6103万亿韩元，同比暴增405%，环比增长96%，营业利润率更是达到了72%——意味着公司每卖出1万韩元的产品，就能赚取超过7000韩元的营业利润，这在半导体制造业中极为罕见。

净利润方面，SK海力士实现40.3459万亿韩元，同比增长398%，大幅超出市场分析师此前31.95万亿韩元的平均预期。净利润率高达77%。

从业务结构来看，DRAM贡献了公司总营收的78%，NAND贡献了21%。业绩大幅增长的核心驱动力来自两方面：一是HBM、高容量服务器DRAM模块、企业级SSD等高附加值产品销量持续扩大；二是大宗DRAM和NAND合约价格在第一季度出现了史无前例的暴涨。

据TrendForce数据，第一季度部分DRAM产品合约价格环比上涨近83%，部分NAND产品价格更是暴涨约160%。SK海力士披露，第一季度DRAM平均售价较上季度上涨约60%，NAND平均售价上涨约70%。

盈利能力已碾压台积电

本季度SK海力士72%的营业利润率，不仅在其公司历史上前所未有，在全球半导体行业中也处于绝对领先地位。

作为对比，台积电2026年第一季度营业利润率约为58%，美光约为67.6%，三星电子整体营业利润率约为43%（其存储业务预计在60%-70%区间）。SK海力士与台积电之间的利润率差距，已从去年第四季度的4个百分点扩大至第一季度的14个百分点。

需要指出的是，在2023年第一季度，SK海力士的营业利润率曾跌至-67%的历史低谷。此后，随着存储市场供需关系的逆转和AI需求的爆发，公司营业利润率在2023年第四季度转正为3%，随后每个季度持续攀升，到2026年第一季度已达到72%。

强劲的盈利能力也带来了资产负债表的显著改善。截至第一季度末，SK海力士现金及现金等价物达54.3万亿韩元，较上季度末增加19.4万亿韩元；有息债务降至19.3万亿韩元，较上季度减少2.9万亿韩元。由此，公司实现了35万亿韩元的净现金头寸。

SK海力士CEO郭鲁正在今年3月的股东大会上曾表示，“为应对结构性需求增长、保持竞争力，确保能够稳定投资的财务稳健性至关重要”，并设定了净现金超过100万亿韩元的目标。

未来三年HBM需求已远超供给能力

对于未来市场走势，SK海力士在财报中表达了乐观预期。公司表示，随着AI从大模型训练阶段演进到“代理式AI”（Agentic AI）——即在各种服务环境中反复执行实时推理——DRAM和NAND两大存储品类的需求基础都在持续扩大。

“尽管第一季度通常是季节性淡季，但在AI基础设施投资扩大的推动下，市场需求依然持续强劲。”SK海力士在财报中表示，预计DRAM和NAND都将维持有利的价格环境。这也意味着，SK海力士认为当前存储芯片供不应求、价格上涨的市场现状将会持续。

TrendForce也在最新预测中指出，尽管终端市场需求可能存在波动，但预计第二季度大宗DRAM合约价格仍将环比上涨58-63%，NAND合约价格预计上涨70-75%。

SK海力士在财报电话会议上还透露，客户未来三年的HBM需求已经远超现有供给能力，公司正在现有约束条件下最大化HBM产出，并谨慎平衡HBM与标准DRAM之间的产能分配。

据韩媒报道，SK海力士正在从一年期短期合同向三至五年的长期供应协议（LTA）模式转型，已与微软、谷歌等全球AI巨头就DRAM长期供应进行谈判。同时，公司正在积极扩大对英伟达HBM4的供应。

M15X与龙仁集群双线推进

为应对持续增长的需求，SK海力士正在加速产能扩张。公司表示，今年将显著增加资本支出，重点用于清州M15X新厂的量产爬坡，以及龙仁半导体集群的基础设施建设。

清州M15X工厂是SK海力士最新的DRAM生产基地，将主要用于HBM等尖端产品的生产。龙仁集群则是韩国政府推动的全球最大半导体产业集群项目的一部分，SK海力士计划投资19万亿韩元在该区域建设新工厂。

1c制程SOCAMM2已量产

在技术路线图方面，SK海力士也公布了最新进展。公司基于全球首创的10nm级第六代（1c）制程工艺，已开始量产192GB SOCAMM2 AI服务器内存模块，本月已正式启动供货。该产品带宽是传统RDIMM的两倍以上，能效提升超过75%。

在NAND领域，公司基于CTF（电荷捕获闪存）321层QLC技术，已开始供应消费级SSD“PQC21”。公司计划通过高性价比的TLC产品和高容量的QLC产品组合，灵活应对企业级SSD市场的AI需求，同时利用与Solidigm在高容量QLC eSSD领域的协同效应，强化在AI数据中心和AI PC存储市场的竞争力。

编辑：芯智讯-浪客剑