镓仁半导体亮相“中国新质半导体创新发展三十周年特展”：以全链条创新，领跑中国氧化镓产业新征程

2025年-2026年，镓仁半导体在氧化镓领域持续发力，实现多项关键突破：

技术层面，公司连续打破尺寸限制，2025年全球首发铸造法8英寸氧化镓单晶，2026年全球首发8英寸氧化镓同质外延片，在大尺寸氧化镓材料制备能力上始终居于全球领先地位。同时公司稳步推进多工艺路线研发，自主研发的氧化镓专用VB法长晶设备已全面开放销售，实现核心装备国产化替代，构建起“装备—衬底—外延”一体化技术闭环。

产业层面，依托成熟的技术体系与自主装备，镓仁半导体已实现各尺寸氧化镓衬底与外延片规模化量产，8英寸氧化镓单晶衬底、8英寸氧化镓同质外延片经权威机构检测均表现出优异性能。公司已具备产品稳定批量交付能力，并与为国内外头部器件厂商提供核心材料支撑。自主研发的高质量氧化镓半绝缘衬底材料已帮助深圳平湖实验室成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关，推动氧化镓从实验室技术加速走向产业化应用。

当前，“十五五” 规划明确提出 “推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”，将宽禁带半导体产业提升至国家战略高度。

镓仁半导体的系列成果，正是企业积极响应国家战略、深耕氧化镓产业的生动实践。从核心装备自主研发到关键材料突破，镓仁半导体以持续的技术攻坚，为我国氧化镓产业的高质量发展注入了强劲动能。公司在大尺寸材料、核心装备等领域的突破，为国内氧化镓产业提供了先进的产业化经验，推动行业整体技术水平提升，助力我国在第四代半导体赛道实现从跟跑到并跑、领跑的跨越。

值得一提的是，镓仁半导体作为唯一一家第四代半导体企业代表入选首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》。该纪录片在本次特展期间正式亮相，收录十余位院士、专家及企业家的珍贵访谈，全景记录我国化合物半导体产业的创新历程。镓仁半导体的入选，不仅是行业对其在氧化镓领域技术突破与产业贡献的高度认可，更彰显了我国第四代半导体企业在全球产业格局中的重要地位，成为中国化合物半导体创新发展的标杆缩影。

未来，公司将加快6/8英寸外延片的器件验证与量产线导入，为我国新质半导体产业的高质量发展贡献镓仁力量，助力我国在全球第四代半导体产业竞争中占据主动地位。