2026年海外存储深度报告

一、AI 对 HBM、DRAM、NAND 及 SRAM 需求的提振

随着 AI 发展，存储芯片已从传统系统配套组件，转变为决定算力系统性能与经济性的核心战略资产。AI 基础设施快速扩张，正在重塑 HBM、DRAM、NAND Flash、SRAM 的需求曲线。

1.1 核心存储芯片定义

• HBM（高带宽内存）：通过 3D 封装将多个 DRAM 芯片垂直堆叠，配合 TSV 硅通孔技术，为 AI 芯片提供极高数据吞吐量、低功耗、小体积，是解决 AI 算力 “内存墙” 的关键。
• DRAM（动态随机存取存储器）：计算机与手机主流主存，用电容电荷存储数据，需定期刷新，成本较低、容量大。
• SRAM（静态随机存取存储器）：用触发器电路存储数据，无需刷新、速度极快，但成本高、容量小，多用于 CPU 缓存。
• NAND Flash（闪存）：断电数据不丢失，3D 堆叠实现高密度、低成本，是 SSD、U 盘中的核心存储。
  
  

AI 数据中心按数据访问频率分为热数据、温数据、冷数据，对应不同存储芯片：

1. 热数据：模型权重、实时 KVCache，放在 SRAM 与 HBM。
2. 温数据：挂起对话、低频调用参数，放在 DRAM 或企业级 SSD。
3. 冷数据：历史记录、原始训练语料，放在 NAND 或 HDD。

• 训练阶段：依赖极高带宽，HBM 承载模型参数，DRAM 做数据分片缓存，企业级 SSD 存储语料与 Checkpoints。
• 推理阶段：受内存带宽约束更强，HBM 承担 KVCache 与持续生成，高速 QLC SSD 支撑 RAG 向量库高并发读取。

  训练阶段不同存储器所承担的角色

  

  推理阶段不同存储器所承担的角色

  

二、HBM 需求弹性最大，2026 年 Q1 合约价环比暴涨 50%~55%

HBM 是解决 AI 训练与高端推理带宽瓶颈的核心方案，具备三大优势：高速（TB 级传输，超 DDR5 约 20 倍）、高能效、面积效率高。

2.1 英伟达 GPU 迭代驱动 HBM 爆发

每一代 AI 芯片升级，HBM 都是性能提升关键：

• H100→H200、B200→B300：HBM 容量 + 50%

• Rubin→Rubin Ultra：HBM 容量 + 4 倍

HBM4 将通道数从 8 增至 16，带宽与容量大幅跃升。

英伟达 GPU HBM 规格、带宽和容量

2.2 HBM 价格持续走高

• 2026 年 Q1，HBM 综合平均合约价环比 + 50%~55%。

• HBM4 定价约 560 美元，较 HBM3E（约 370 美元）涨幅超 50%。

• 三大厂 2026 年全年 HBM 产能已售罄，价格被长约锁定，高位至少维持至 2026 年底，涨价趋势有望延续至 2027 年。

2024-2026 年 HBM 占总 DRAM 产出与营收的比例

2.3 长期协议（LTA）成为行业主流

• 三星：推进 3–5 年长期协议，锁定价格与数量。

• SK 海力士：与微软、谷歌签订三年大额合同，含 10%~30% 预付款。

• 美光：签订首个五年战略客户协议（SCA），稳定供需。

长期协议提升需求可见性，降低资本开支风险，利好存储厂估值。

三、HBM 全球竞争格局：封装良率与大客户验证是核心

2022–2025 年 HBM 格局经历三阶段：海力士抢跑→三星凭产能追平→海力士凭良率重回领先。

3.1 SK 海力士：份额第一，MR-MUF 奠定优势

• 2025 年 Q3 营收份额57%，稳居全球第一。

• 率先量产 HBM2E/HBM3/HBM3E，深度绑定英伟达 A100/H100 周期。

• MR-MUF 封装技术：散热更好、物理应力小、良率更高，对比三星 TC-NCF 优势显著。

• 与台积电合作开发 HBM4，2026 年放量。

海力士在 HBM 上保持领先的核心壁垒

3.2 三星：战略犹豫 + 良率问题，份额下滑

• 早期重心在传统 DRAM，对 HBM 爆发预判不足。

• 坚持 TC-NCF 技术，多层堆叠易翘曲、散热差、良率受限，英伟达验证延迟。

• 1c 纳米工艺良率偏低，拖累 HBM4 进度。

• 2025 年 Q3 份额落后于海力士、美光。

3.3 美光：激进押注 HBM3E，虎口夺食

• 跳过 HBM3，直接发力 HBM3E，1-beta 制程低功耗优势突出。

• 成功通过英伟达验证，2025 年 Q3 份额21%，主要抢占三星份额。

• HBM4 提前量产，交付速度超预期。

3.4 2026：HBM4 决战之年

• 三星：率先官宣 HBM4 大规模量产，速率达 11.7Gbps，激进扩产。

• SK 海力士：HBM4 通过英伟达严苛测试，2026 年 Q1–Q2 放量，备战 16 层堆叠。

• 美光：HBM4 大批量生产，交付提前一个季度。

HBM4 核心升级：BaseDie 从 DRAM 工艺转向先进逻辑工艺（台积电 3nm / 三星 4nm），集成内存控制器、电源管理、定制逻辑，成为 “系统级存储”。

各 HBM 厂商 BaseDie 策略比较

四、HBM 扩产：2026 年三巨头产能军备竞赛

AI 算力需求爆发，推动 SK 海力士、三星、美光大幅扩产 HBM，TSV 产能占比持续提升。

4.1 SK 海力士：M15X 工厂成扩产主力

• 2026 年底 TSV 月产能目标20 万片，占比 33%。

• 清州 M15X 新厂提前投产，2026 年月产能从 1 万片爬升至 8 万片。

• 采购约 80 亿美元 EUV 设备，支撑 1c/1d 纳米 DRAM 与 HBM4E。

• 龙仁集群预计 2028 年后投产，M15X 填补中期产能缺口。

4.2 三星：HBM 产能 + 50%，激进扩产

• 2026 年底 HBM 月产能目标25 万片，较 2025 年底 + 50%。

• 产能来源：传统 DRAM 产线转产 + 平泽 P4/P5 新厂。

• P5 工厂无尘室数量较 P4 多 1.5 倍，产能结构性增长超 50%。

• 2026 年资本开支超 110 万亿韩元，聚焦 HBM4 与先进制程。

4.3 美光：资本开支大幅上调

• 2026 财年资本开支250 亿美元，2027 财年有望超 300 亿美元。

• 重点投向美国、日本工厂，导入 EUV，扩建 TSV 封装产能。

• HBM4 提前量产，绑定头部 AI 客户。

2026 年各厂 HBM 产能数据预测（单位：月平均产能）

2026 年各厂 HBM 总产能、TSV 产能数据预测（单位：月平均产能）

数据来源：TrendForce，东北证券

备注：2026 年三星 TSV 产能现在规划提升至 25 万片，高于图中预测的 15 万片

海力士、三星和美光 2026 年 HBM 扩产情况

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