《第三代半导体产业发展报告（2025）》重磅发布！

2026年4月24日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》（以下简称“报告”）在2026九峰山论坛开幕式上重磅发布！

第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲作为主发布人，介绍了《报告》编制情况及产业趋势现状。并与美国国家工程院院士、香港工程科学院院士刘纪美，中国科学院半导体研究所原所长李晋闽，第三代半导体技术产业创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华，深圳平湖实验室主任万玉喜，九峰山实验室主任丁琪超，华中科技大学集成电路学院院长、湖北省电子学会理事长缪向水，华中科技大学光学与电子信息学院院长、湖北光谷实验室副主任唐江，中关村光电子集成产业联盟秘书长张南一起联合发布。

联合发布仪式现场

报告从形势政策、市场应用、生产供给、企业格局、技术进展、标准进展等几个维度，对2025年第三代半导体产业发展状况进行描述和总结，为政府部门及企事业单位提供第三代半导体领域的决策支撑。

总体来看，2025年，全球半导体产业势头强劲，叠加新能源汽车、光伏储能等下游领域需求放量，我国第三代半导体产业持续高速增长。第三代半导体功率电子领域市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中新能源汽车及交通市场突破148亿元，消费电子市场接近32亿元，电信及基础设施成为增速最快领域。GaN射频器件市场119亿元，同比增长9.2%；光电方面，车用LED领域保持增长，GaN基激光器市场规模达70亿元。

供给端，国内第三代半导体功率电子、射频电子、LED产值分别为231亿元、47亿元、1037亿元。国内碳化硅（SiC）的衬底、外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为420万片、230万片、190万片，产量分别为205万片、93万片、85万片，产能利用率较上年有所提升。GaN功率电子的外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为96万片和74万片，产量分别为63万片和43万片，较上年实现较大增长。射频电子外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为17万片和15万片，国产化率进一步提升。

产业格局上，我国企业全球市占率显著提升，天岳先进、天科合达等跻身SiC衬底全球前三，瀚天天成、天域半导体等进入SiC外延全球前二，SiC材料整体供给占全球一半，英诺赛科GaN功率器件全球市占率继续保持第一。

技术方面，SiC 8英寸衬底实现规模化供货，12英寸外延全球首发，GaN相关技术取得突破；超宽禁带半导体多项技术实现国际首发。

展望2026年，经历了行业的规模化增量，2026年产业将朝着提质增效方向深化发展，预计第三代半导体功率及射频电子产值增速有望达到15%以上。

吴玲理事长表示，AI浪潮推动全球半导体产业强劲发展，面临国际供应链重塑与技术竞争等挑战，宽禁带半导体为代表的化合物半导体成为半导体领域高端产业链话语权争夺的焦点。我国已实现从技术追赶到局部领先的跃升，在光电子、射频电子和功率电子领域建立了较为完整的研发和产业体系，半导体照明产业规模已居世界第一，射频电子较好的满足了国防和5G移动通信需求，功率电子材料形成了产能优势，进入国际第一梯队，但目前仍有性价比和品牌影响力方面的挑战，正处于从“技术突破”向“产业领先”加速迈进的关键阶段。未来5-10年有望实现全球引领，形成半导体领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。

重要会议推荐

为更好的推动国内先进半导体封装技术与应用交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，江南大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办，将于2026年5月15-17日举办“2026先进半导体封装技术与应用论坛（CASPF 2026）”。论坛内容将围绕硅、碳化硅、氮化镓等集成电路封装技术，涉及先进半导体材料，器件，封装工艺、装备、制造、应用等相关主题，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪先进半导体封装最新技术进展，分享应用及相关生态链构建发展，携手促进先进半导体封装技术协同发展。——CASPF2026 首批嘉宾揭晓！江大先进半导体封装技术与应用论坛邀您5月共赴江南之约！