市场研究机构Omdia近日大幅上调2026年全球半导体行业营收预测，预计2026年全球半导体收入将接近1.4万亿美元，增幅将达到62.7%。

主要驱动力来自DRAM内存和NAND闪存等存储器市场前所未有的增长。

分析指出，人工智能应用已从基础问答功能向更复杂场景延伸，大幅推高了对存储器与处理器的需求，成为拉动半导体整体营收增长的核心动力。

企业为了应对日益严苛的工作负载，正在加速淘汰老旧硬件，2026年企业服务器将掀起一波换机潮。

得益于数据中心服务器需求强劲，叠加存储器价格上涨，2026年计算与数据存储领域的半导体营收将超过7000亿美元，同比增长90%，是半导体各应用领域中增长最为迅猛的一块。

消费电子和无线通信领域同样有望实现增长。Omdia指出，除了市场将推出多款折叠手机和AI手机等旗舰机型，存储器价格上涨也会带动相关半导体营收向上。

Omdia分析，今年半导体营收增长主要靠平均售价上涨拉动，而非出货量增加。

其中，DRAM的市场规模估计增长近1倍，NAND闪存市场规模则可能暴增4倍。

三星电子工会要求公司将营业利润的15%作为绩效奖金、取消绩效奖金上限等，并预告将展开总罢工。

罢工一旦落地，可能会给供应链带来的冲击。

多家证券研究中心在报告中指出，当前存储芯片供需本就偏紧，此次罢工将进一步加剧供应短缺，成为推高芯片价格的关键变量。

并假设了最坏的情况：若罢工持续18天，结束后自动化生产线重启并恢复正常，预计还需再花费2周-3周时间。

三星电子在全球DRAM市场占有率为36%，NAND闪存为32%。再叠加平泽、华城厂区的生产比重，推算全球DRAM市场有3%-4%、NAND闪存2%-3%的产能会受到影响。

2024年7月罢工只有约15%工会成员参加，冲击有限；但若今年5月罢工兑现，预计参与人数将达3万-4万人，占到全体工会成员的30%-40%，影响较大。

尽管罢工氛围升温，业内普遍认为，在人工智能热潮和存储超级周期的支撑下，三星电子快速攀升的业绩不会受到太大冲击，利润预期不会因此改变。

铠侠今日宣布面向PC OEM市场发布主流级PCIe Gen5客户端固态硬盘KIOXIA BG8。

BG8系列搭载铠侠第八代BiCS FLASH 3D TLC闪存芯片，采用PCIe 5.0 x4接口。

产品实行无独立缓存设计，通过主机内存缓冲（HMB）技术利用系统内存实现高效运行，在性能、功耗和成本之间找到了平衡点。

性能方面，顺序读取速度最高可达10300MB/s，顺序写入最高10000MB/s，4K随机读取为1400K IOPS，4K随机写入为1300K IOPS。

对比上一代BG7系列，顺序读取提升47%，顺序写入暴增67%，随机读取提升44%，随机写入提升30%。

规格方面，BG8系列符合NVMe 2.0d规范，支持TCG Opal 2.02自加密硬盘功能，为用户数据提供硬件级保护。

容量提供512GB、1TB和2TB三种选择，提供M.2 2230、2242和2280三种外形规格，OEM厂商可以灵活适配各种终端形态。

铠侠已向部分PC原厂客户交付BG8系列工程样品，搭载该SSD的PC产品预计从2026年第二季度起陆续量产出货。

希捷宣布推出三款全新升级的消费级和专业级外置存储解决方案。

分别是希捷铭One Touch桌面外置硬盘、希捷酷玩FireCuda X Vault游戏硬盘、雷孜LaCie 8big Pro5多盘位RAID存储设备。

One Touch基于3.5英寸机械硬盘，可选8TB/20TB/24TB盘体，支持USB-C一线连，兼容Windows和Mac系统，附赠Seagate Rescue Data Recovery Services数据救援服务，面向日常备份和个人数据存储场景。

One Touch 8TB版本建议零售价为人民币2499元。

FireCuda X Vault专为游戏玩家和主播打造，提供8TB和20TB版本，同样支持USB-C一线连。

专为PC版Xbox设计，搭配可自定义的RGB灯光和Windows动态照明。

可享受1次免费原厂数据恢复服务，包含一个月Xbox Ultimate Game Pass PC会员资格和两个月Adobe Creative Cloud计划。

FireCuda X Vault预计于2026年5月初在中国大陆地区上市。

LaCie 8big Pro5适用场景为专业创意人士和制作团队。采用8盘位设计，配备雷电5接口（可提供140W PD输出），支持硬件RAID 0/1/5/6/10/50/60、JBOD和多RAID设置，面向多路4K/8K视频处理、大型RAW图像库、AI辅助制作等工作流。

LaCie 8big Pro5建议零售价为32TB容量为66168元、64TB为79168元、128TB为99868元、192TB为123168元、256TB为158168元。

3D存储半导体IP企业NEO Semiconductor宣布，其X-DRAM成功完成概念验证芯片制造，证明3D堆叠内存可利用现有3D NAND闪存生产线制造。

NEO Semiconductor的X-DRAM验证芯片实现了10¹⁴循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃下数据保持时间＞1s，是JEDEC标准DRAM的64ms的15倍。

NEO Semiconductor同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。

NEO表示，3D X-DRAM采用内存单元垂直整合架构，突破传统内存容量扩展限制。

该技术可望应用于HBM、DDR，以及人工智能与HPC等领域。

相较于现行HBM需逐层堆叠DRAM芯片的方式，NEO的创新做法更接近一体成形的3D结构，有助于提升整合效率并优化成本。