原料断供！日本光刻胶巨头告急！

2026 年 3 月初，中东地区冲突升级导致霍尔木兹海峡实际封锁，全球能源与化工供应链遭遇剧烈冲击。作为原油炼制的轻质油产品，石脑油供应急剧收紧，而它正是制造芯片核心材料光刻胶所必需的基础化工原料，一场从能源端传导至半导体产业的断供危机全面爆发。

危机传导：从石脑油到光刻胶的全链条断裂

石脑油是整个危机的源头，其供应受阻直接沿着化工产业链层层传导。具体路径为：石脑油→丙烯→环氧丙烷（PO）→PGME/PGMEA→光刻胶及半导体关键材料。

在半导体制造中，PGME（丙二醇甲醚）与 PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯） 是无可替代的高纯溶剂，纯度需达 99.9% 以上，严控金属离子、颗粒物等杂质。其中，PGMEA 占光刻胶溶剂的 80%-90%，PGME 作为共溶剂，两者合计占比超 90%，覆盖光刻工艺全流程。除光刻胶外，底部抗反射涂层、旋涂硬掩模、HBM 临时粘合剂及光刻胶稀释剂与清洗剂等核心材料，均高度依赖这两种溶剂。

日韩陷绝境：中东依赖度超 70%，光刻胶巨头集体预警

全球 PGME 与 PGMEA 年产能约 95 万吨，57% 集中在亚太地区，日韩两国对中东石脑油依赖度极高，成为危机重灾区。

• 韩国：45% 石脑油依赖进口，其中 77% 来自中东，阿联酋与卡塔尔合计占比 37%。受冲击后，LG 化学已暂停丽水部分装置，韩国石脑油库存仅够维持约两周。3 月 27 日起，韩国全面禁止石脑油出口（暂定 5 个月），11% 出口供应转供国内。

• 日本：60% 石脑油依赖进口，40% 直接来自中东，且国内炼厂 90% 原油进口自中东，实质 75% 石脑油供应依赖中东。霍尔木兹海峡封锁后，日本 12 座石脑油裂解装置中 6 座被迫减产，4 月初石脑油现货价格暴涨 92% 至每吨 1190 美元。

4 月 21 日，日本信越化学、东京应化工业、JSR、富士胶片、日产化学五大光刻胶巨头完成内部通报，4 月 23 日正式向三星电子、SK 海力士发出原材料采购中断警告。这五家企业合计占据全球光刻胶市场 76% 份额，掌控 90% 以上 ArF 光刻胶与近 100% EUV 光刻胶产能，直接冲击全球先进制程芯片供应。日本政府虽宣称拥有四个月石脑油储备，但石脑油用途广泛，光刻胶生产 “僧多粥少”，供应受限已成定局。

先进制程首当其冲，三星 SK 海力士 HBM 与先进 DRAM 告急

此次危机影响呈现明显分化，依赖 EUV 光刻技术的先进制程节点风险最高。EUV 光刻胶对 PGME/PGMEA 纯度要求更严苛，日本断供直接导致三星电子、SK 海力士在 HBM（高带宽内存）与先进 DRAM 领域生产受阻。

目前，全球晶圆厂普遍持有数月安全库存，但中长期风险持续累积。若中东冲突持续超过 3 个月，日本光刻胶产线或将大面积停摆，全球先进芯片产能面临下滑风险。

远水解不了近渴：日韩紧急求援中国，认证周期成最大阻碍

为缓解危机，日本光刻胶巨头紧急寻求从中国、韩国采购 PGME 与 PGMEA。韩国 Chemtronics、Jaewon Industrial 具备 PGMEA 大规模产能，已向日本及三星供货；韩国 HanWool Materials 计划通过子公司进口中国产 PGME/PGMEA，正与日本厂商洽谈供应。

然而，半导体严苛的认证流程成为最大瓶颈。光刻胶更换原材料供应商后，需经三星、SK 海力士等客户重新资质认证，普通制程认证周期约一年，先进制程 EUV 光刻胶认证时间更长。东方证券数据显示，光刻胶验证需经历性能测试、小试、批量验证及最终通过四大流程，周期漫长，短期内难以缓解供应压力。

中国：低依赖度 + 产能储备，迎来国产替代黄金期

与日韩形成鲜明对比，中国石脑油对中东依赖度显著较低。2025 年 9 月海关数据显示，中国石脑油进口来源前五位为阿联酋（18.75%）、俄罗斯（18.72%）、印度（14.04%）、韩国（10.05%）、沙特阿拉伯（8.86%），俄罗斯等非中东国家占比超 30%，供应链更趋多元稳定。

在关键材料领域，中国企业已实现规模化突破：

• PGME/PGMEA：怡达股份、百川股份、江苏天音、华伦新材料等具备量产能力，怡达股份、德纳天音电子级 PGME 各有 1 万吨产能，可满足国内半导体基础需求。

• 光刻胶：彤程新材、南大光电、晶瑞电材等国产厂商实现规模化供应，G/I 线光刻胶国产化率较高，KrF 光刻胶逐步突破，为国产替代奠定基础。

此次中东断供危机，将加速下游晶圆厂导入国产半导体材料的意愿与紧迫性。长期来看，国产先进制程与先进存储扩产确定性强，将持续打开电子级溶剂及光刻胶的成长空间，中国半导体材料产业有望借势崛起，打破日本长期垄断格局。

此次事件凸显全球半导体供应链地缘政治脆弱性，日本光刻胶垄断与原料对外依赖的矛盾暴露无遗，也推动中国半导体材料自主可控进程加速。