三星懵了!台积电下死手,一口汤都不给对手剩
随着全球
人工智能
(
AI
)技术爆发式增长,
半导体
产业先进制程迎来前所未有的供需失衡局面。据韩国媒体近期深度分析报道,全球晶圆代工龙头
台积电
(
TSMC
)2 纳米制程产能已全面排满至 2028 年,这让长期市占率处于落后位置的三星电子,迎来难得的 “替代效应” 市场机遇。不过
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并未给对手留出太多喘息空间,通过大规模扩产与资本支出计划强势卡位,严防三星借机抢占市场份额,可谓不留任何市场空间给竞争对手。

台积电
先进制程供不应求 2 纳米订单满载至 2028 年
AI
产业持续升温,直接推高
台积电
产能至饱和状态。据行业消息显示,
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2 纳米制程订单已被英伟达(Nvidia)、超威(
AMD
)、高通(Qualcomm)及苹果(Apple)等科技巨头悉数包揽,订单周期已排至 2028 年。就连
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规划 2030 年量产、主打 2 纳米以下制程的美国亚利桑那州第四座晶圆厂(Fab 4),尚未动工就传出产能几乎被提前预订一空。
旺盛的市场需求也直接体现在
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财报业绩上。2026 年第一季度,
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净利润达新台币 5725 亿元(约合 181 亿美元),较 2025 年同期大幅增长 58.3%,创下历史新高。其中 3 纳米及以下先进制程营收,占总晶圆销售额的 25%。随着谷歌、亚马逊等企业纷纷入局自研
AI
芯片
,市场对先进制程的需求预计将持续攀升。
韩媒聚焦代工格局变局 三星抢占市场窗口期
台积电
产能严重紧缺,让韩国媒体及业内普遍认为,三星已成为具备核心竞争力的替代选择。当前全球晶圆代工市场中,
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以 72% 的市占率占据绝对主导,三星则以约 7% 的份额位居第二。韩国西江大学电子工程系教授 Beom Jin-wook 在接受韩媒采访时表示,
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需求激增,仅靠
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已无法满足全球供应链需求,这正是三星代工业务实现增长的关键窗口期。
三星自 3 纳米制程起率先采用环绕栅极(GAA)技术,目前其 2 纳米制程良率已提升至 60% 左右,且性能仍在持续优化,逐步获得核心客户认可。除拿下特斯拉(Tesla)订单外,三星正深化与英伟达的合作,同时与
AMD
洽谈下一代合作计划,还获得安谋(Arm)的重点关注。英伟达 CEO 黄仁勋近期公开表示,正采用三星 4 纳米制程生产 Grok 3 语言处理单元。此外,三星还计划通过 2 纳米制程,量产自家 Exynos 2600 移动应用
处理器
,以及特斯拉 “
AI
5”“
AI
6” 系列
AI
芯片
。
三星加码先进制程布局 2 纳米产能规划大幅上调
紧抓市场机遇的三星,正快速调整生产战略。据韩国媒体报道,三星已决定将美国得克萨斯州泰勒市在建晶圆厂,从原定 4 纳米制程全面升级为 2 纳米制程产线。同时,三星将该厂 2 纳米晶圆初期月产能目标,从原计划的 2 万片大幅翻倍至 5 万片,该规模与
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初期 2 纳米月产能规划持平。
在韩国本土,三星正加快推进京畿道平泽园区 P5 工厂建设,该工厂定位为可灵活切换生产先进逻辑
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与下一代存储器的混合型生产基地。在
AI
计算逐步模糊存储器与逻辑
芯片
边界的背景下,这一布局能让三星更快速适配市场需求变化。得益于上述战略调整及 4 纳米制程产能利用率提升,韩国证券分析师预计,常年亏损的三星非存储器业务部门,有望在 2026 年底或 2027 年初实现扭亏为盈。
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破例扩产 3 纳米 全方位筑牢市场壁垒
面对三星的强势布局,
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并未放松市场防守,扩大 3 纳米及更先进制程产能,核心目的之一便是遏制竞争对手获取市场优势。为满足
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客户需求、巩固行业领先地位,
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在一季度法人说明会上宣布扩充 3 纳米产能,并大幅增加 2027 年度极紫外光(
EUV
)光刻设备预订量,以承接高带宽存储器(HBM)基础裸晶、LPU 及
CPU
的海量订单。
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透露,正推进全球产能布局计划,以保障未来数年 3 纳米制程的旺盛需求,产能将覆盖智能手机、含高带宽存储器(HBM)逻辑底层晶粒的高性能计算(HPC)与
AI
、
汽车
及
物联网
等领域客户。在台湾地区,
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于台南科学园区超大晶圆厂(GIGAFAB)厂区新增一座 3 纳米晶圆厂,预计 2027 年上半年量产;美国亚利桑那州第二座晶圆厂已建成,采用 3 纳米制程,计划 2027 年下半年量产;日本熊本第二座晶圆厂也规划采用 3 纳米制程,预计 2028 年投产。
除此之外,
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还将台湾地区部分 5 纳米产线设备转换用于 3 纳米产能扩充,依托成熟制造工艺提升全球各厂区生产效率,并实现 7 纳米、5 纳米、3 纳米跨制程产能弹性调配。
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表示,将通过多元化举措,全力保障各领域客户的产能需求。
综合韩国媒体评论来看,即便三星晶圆代工业务借助
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产能紧张收获大量外溢订单,但业内分析师仍提醒,三星面临的核心挑战依旧是执行力与良率把控。
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行业人士直言,三星若想摆脱
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替代品的定位,成为客户首选,最终仍需证明其先进制程的技术实力与稳定良率。
