观察
在摩尔定律趋缓、先进制程逼近物理极限的背景下,Chiplet(芯粒)技术凭借其异构集成、灵活定制的特性,成为突破先进制程瓶颈的关键路径。国内产业正通过技术引进与自主研发,实现从跟跑到局部并跑的关键突破。相较于传统单芯片设计与封装,Chiplet与2.5D/3D封装技术在成本、效率与定制化方面具备显著优势,为国内半导体产业带来差异化竞争力。

(图片:AI生成)
成本、效率与定制化的三重红利
随着单芯片性能逼近物理极限,Chiplet技术通过先进封装实现多小芯片集成,已成为AI芯片的标配方案。该技术将大型芯片拆解为多个功能独立的芯粒(Die),采用先进封装技术实现异构集成,有效突破单芯片面积、功耗与成本的三重瓶颈。目前,国内企业已掌握芯粒设计、IP复用与系统集成的核心能力。
Chiplet技术允许采用不同工艺节点制造各功能模块,关键计算模块使用5nm/3nm先进制程,非敏感的存储、I/O模块使用28nm/14nm成熟制程,实现性能与成本的最优平衡。据测算,采用Chiplet架构的AI芯片,实测芯粒方案比单芯片综合成本降低41%,良率提升至98.5%以上。
模块化设计允许芯粒的复用与快速组合,大幅缩短芯片研发周期。传统SoC芯片研发周期需2-3年,而采用Chiplet技术的芯片可在6-12个月内完成设计与量产,部分定制化AI芯片项目研发周期甚至缩短至4-6个月,加速产品迭代速度,特别适用于AI、车载芯片等快速演进领域。
Chiplet技术支持根据不同应用场景灵活组合芯粒,实现“量体裁衣”式的芯片设计。在AI训练场景中,可组合7nm计算芯粒与HBM3e存储芯粒,带宽提升3倍;在边缘计算场景中,可组合低功耗计算芯粒与专用I/O芯粒,满足碎片化的市场需求。
在当前复杂的国际形势下,Chiplet技术为国内企业提供规避先进制程封锁的路径。企业可将核心计算模块采用先进制程,而将其他模块采用成熟制程,减少对先进制程的依赖。同时,Chiplet技术也促进国内成熟制程产能的充分利用,提升供应链的自主性和安全性。国内拥有丰富的28nm、14nm等成熟制程产能,通过Chiplet技术,可将这些产能与先进制程相结合,生产出高性能的芯片产品。
除规避制程封锁外,Chiplet技术也有利于多元化供应链布局。该技术允许企业从不同供应商采购芯粒,实现供应链的多元化布局,降低单一供应商风险。例如,企业可从台积电采购先进制程的计算芯粒,从国内代工厂采购成熟制程的存储芯粒,提升供应链的稳定性。同时,芯粒的标准化发展也将进一步促进供应链的开放和竞争,降低企业的采购成本,提升供应链的效率。未来,随着芯粒接口标准的统一,不同企业的芯粒将实现互联互通,形成更加灵活和高效的供应链体系。
规模商业化落地的制约与挑战
当前,Chiplet技术面临接口标准不统一、先进封装工艺复杂门槛高、测试验证体系不完善以及电源与热管理挑战等难点,这些技术瓶颈制约着其大规模商业化落地。
在接口标准不统一方面,尽管UCIe(通用芯粒互连标准)已由英特尔、AMD、台积电等巨头联合推动,但行业内仍存在AIB(英特尔)、BoW(OCP)、LIPINCON(台积电)等多种私有或区域性接口方案,导致不同厂商的芯粒难以互通。异构集成兼容性差,来自不同工艺、不同供应商的芯粒在电平、时序、协议层面存在差异,系统级整合时易出现信号完整性问题。
2.5D/3D封装依赖硅通孔(TSV)、微凸块(Micro-bump)、混合键合(Hybrid Bonding)等精密工艺,对对准精度、翘曲控制、良率管理要求极高。多层堆叠结构加剧散热压力,不同材料间的热膨胀系数(CTE)失配易引发机械应力,影响芯片可靠性,面临材料与热管理难题。
电源与系统级协同存在性能与稳定的博弈。多芯粒共享电源网络,动态负载变化易引发电压降(IR Drop)和低频噪声,影响系统稳定性,电源完整性(PI)问题突出。设计工具链不成熟,EDA工具在多物理场耦合(电、热、力)仿真方面能力不足,难以在设计早期准确预测系统行为,增加后期迭代风险。
测试与验证面临成本与复杂性的双重挑战,Chiplet需经历裸片级测试(KGD)、封装中段测试(MT)、系统级测试(SLT)等多重环节,测试流程复杂化,测试成本显著上升。并且缺乏标准化测试规范,目前尚无统一的测试标准和接口定义,导致测试方案高度定制化,难以规模化复制。
国内半导体产业“弯道超车”的路径
国内Chiplet技术起步虽晚,但在政策扶持、市场需求和企业研发的共同推动下,已形成从标准制定到产业应用的完整布局,拥有完善的封测产业基础、庞大的本土市场需求、政策与资本的强力支持等核心优势。面对海外先进制程技术限制,Chiplet为国内半导体产业提供“弯道超车”的路径。
国内拥有完善的封测产业基础,封测产业规模位居全球前列,其中长电科技、通富微电、华天科技等企业进入全球前十,拥有从晶圆级封装到系统级封装的完整技术链条。长电科技的Chiplet技术已应用于高端AI芯片,先进封装业务营收占比提升至30%;通富微电依托AMD的订单资源,积累了大规模量产经验。成熟的封测能力为Chiplet技术落地提供坚实支撑,可快速实现从实验室到量产的转化。
国内拥有全球最大的电子信息产业市场,AI服务器、数据中心、自动驾驶等领域对高性能芯片需求旺盛。这些场景对算力密度、功耗控制的要求,与Chiplet技术的优势高度契合。本土市场不仅为技术迭代提供应用场景,也为企业研发投入提供商业回报保障。
面对国际标准主导格局,我国正构建自主路径。国内已形成自主技术规范体系:2021年工信部立项《小芯片接口总线技术要求》,2025年发布《芯粒互联接口规范》系列国家标准并于2026年3月1日正式实施,同时《芯粒测试规范》团体标准已发布,3D封装互联接口规范制定启动,为产业协同发展奠定基础。
从技术层面看,国内封测企业已掌握2.5D/3D封装、硅中介层、铜混合键合等核心技术,部分指标达到国际先进水平。长电科技的XDFOI技术实现4nm节点多芯片系统集成封装量产,最大封装面积可达1500平方毫米,广泛应用于AI、5G等领域;通富微电作为AMD核心封装供应商,已实现Chiplet技术大规模量产,其多芯片组件、集成扇出封装等技术可满足高性能计算场景需求。在设计领域,壁仞科技等企业将Chiplet技术应用于GPU产品,通过芯粒组合实现千卡级算力集群,成功交付千万级规模的智能计算项目。
当前,国际巨头已实现Chiplet技术的大规模商业化应用,如AMD的Zen架构处理器、苹果M1 Ultra芯片均采用Chiplet设计,实现性能与成本的最优平衡;Intel、台积电等企业在3D堆叠、铜混合键合等前沿技术上持续领先,三星、SK海力士预计从下一代HBM产品开始大规模应用混合键合工艺,高端封装产能缺口达50%-60%。国内企业虽在封测环节实现局部突破,但在芯粒设计、系统集成、生态构建等方面仍有差距,高端产品市场份额较低。
未来,Chiplet技术将向更高集成度、更低功耗方向发展,除高性能计算、AI芯片外,还将向消费电子、汽车电子、工业控制等领域渗透。国内Chiplet技术已进入快速发展期,在封测技术、市场应用等方面取得显著进展,成为突破先进制程限制的重要路径。面对核心技术短板、生态协同不足等挑战,需通过持续研发投入、完善产业生态、加强国际合作等方式,推动技术从“跟跑”向“并跑”“领跑”转变。未来随着技术成熟度提升和应用场景拓展,Chiplet将成为国内半导体产业实现高质量发展的核心驱动力,为构建自主可控的半导体产业链提供关键支撑。
