三星、SK海力士疯抢光刻机！一场提前开打的存储大战

存储芯片的竞争，从来不只发生在出货数据上。真正的胜负，往往在几年前的设备采购决策中就已注定。

2026年，SK海力士向荷兰ASML下达了一笔总额11.95万亿韩元（约79.7亿美元）的极紫外光（EUV）光刻机采购订单，要求在2027年12月31日前完成交付。这份正式提交给韩国监管机构的披露文件，被认为是近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机单项订单。

伯恩斯坦公司分析师戴维·道预计，这批订单将为SK海力士在两年内新增约30台EUV光刻机，略高于此前市场预测的26台。按照部署规划，这些设备将分别落户清州M15X工厂和龙仁新建晶圆厂，后者的首座洁净室启用时间已从2027年5月提前至2027年2月，与设备交付节奏基本吻合。

同时，韩国媒体Sedaily援引知情人士消息称，三星已确认向ASML和佳能合计订购约70台光刻机，总金额约10万亿韩元（约67亿美元），其中包含20台EUV设备。三星随后否认了这一说法，表示尚未作出相关决策。但否认声明本身并未平息市场的联想，在整个行业都在为下一代制程抢占设备资源的背景下，三星不可能置身事外。

理解这场设备抢购的逻辑，需要先搞清楚1c DRAM的位置。

2026年是全球DRAM行业公认的1c节点爆发年。1c代表第六代10纳米级制程，是当前DRAM技术路线中密度最高、性能最强的制程节点。与需要将多颗DRAM芯片通过硅通孔垂直堆叠的HBM不同，1c DRAM本质上是在单颗芯片层面的制程升级，无需重构产线，可以直接复用现有DRAM成熟设备量产，生产效率更高，市场响应速度更快。

更重要的是，1c DRAM不仅是DDR5、LPDDR等通用内存的制程基础，同时也是下一代HBM4和HBM4E的核心裸片来源。SK海力士已明确，将基于1c制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E；三星正在推进的12层和16层堆叠HBM4产品，同样采用1c技术。换言之，谁在1c制程上建立了产能优势，谁就同时掌握了通用内存和高端HBM两条产品线的主动权。

在扩产规划上，三星计划1c DRAM月产能在2026年第四季度达到20万片，从2025年第四季度的6万片起步，分阶段递增。SK海力士的目标更为激进，计划将1c DRAM月产能从目前约2万片提升至16至19万片，增幅达到八到九倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。SK海力士方面表示，1c DRAM良率已提升至80%以上，具备规模量产条件。

1c制程对EUV光刻机的依赖是结构性的。EUV用极紫外光将电路图案精确刻印在硅片上，波长仅13.5纳米，是实现10纳米级以下制程量产的核心工具。没有足够数量的EUV设备，1c产能的扩张就是一句空话。

从当前设备保有量来看，三星的EUV光刻机持有数量已超过SK海力士的两倍。这一差距直接体现在先进制程产能的释放能力上，也是SK海力士此番大规模采购的主要动因之一，通过集中补充设备，缩小与三星的硬件差距，同时确保1c产能爬坡不受设备瓶颈拖累。

过去一年，两家公司的市场份额已呈现出拉锯态势。2025年第一季度，SK海力士以36%的DRAM市场份额短暂超越三星的34%，创下公司1983年成立以来首次占据行业主导地位的纪录。随后三季度，三星DRAM销售额环比增长29.6%，市场份额回升至34.8%，重新夺回榜首，SK海力士以34.4%紧随其后，差距收窄至0.4%。三星此轮反弹的关键在于HBM出货量的快速提升，三季度HBM位单元出货量环比增长85%，主要来自向英伟达交付HBM3E产品的贡献。

问题的另一面是ASML的供给能力。2023年至2025年，ASML的EUV光刻机年出货量分别为53台、44台和48台，始终维持在每年40至55台的区间，并未出现爆发式增长。这与EUV设备的制造复杂性直接相关：一台EUV光刻机集成超过12万个高精度零部件，依赖德国蔡司的光学系统、美国Cymer的极紫外光源等全球独家供应商，任何一个环节的产能瓶颈都会制约整体出货。

若SK海力士的30台和三星可能采购的20台订单同时落地，仅这两笔合计50台就将占据ASML两年EUV产能的一半以上，对台积电等其他主要客户的产能配额形成显著挤压。需要注意的是，截至2025年底，ASML手持积压订单达388亿欧元，其中EUV系统积压订单为255亿欧元，占比65%。这意味着即使三星此时追加大量订单，短期内也难以获得充裕的产能配额。

大规模采购设备与警惕未来产能过剩，并不相互矛盾。韩国媒体援引三星内部信息称，公司预计本轮存储短缺将于2028年前后趋于缓解，并将此作为校准投资节奏的参考依据。SK海力士也多次表态，扩产将以实际需求而非乐观预期为基准。

但EUV光刻机的交付周期通常长达一到两年，且全球供给存在硬性约束。若此时不提前锁定设备，等到市场需求真正释放时，所需产能根本无从建立。两家公司的逻辑都是：宁可在需求到来前备好子弹，也不愿在需求高峰期因设备不足而坐失市场。

更长远来看，DRAM技术路线本身也在悄然转向。随着3D堆叠存储的发展，制程微缩对光刻精度的极致追求可能逐步让位于刻蚀和薄膜沉积工艺。3D NAND已在向300层以上演进，刻蚀设备在生产中的占比随层数增加而大幅提升；TSV工艺中刻蚀和填充设备占比接近70%。若DRAM也走向类似的三维堆叠路径，对EUV光刻机的依赖程度将明显低于当前水平，半导体设备竞争的核心战场或将向刻蚀与薄膜沉积转移。

但那是下一轮游戏的规则。眼下的1c节点争夺，仍然是EUV说了算。