3条SiC晶圆线密集推进

近期，碳化硅（SiC）晶圆代工段频传产线扩产新动向：

• 三星电子：重启8英寸SiC晶圆代工线建设，目标2028年量产；

• X-Fab：再投约6.85亿元扩充SiC及微系统产能，其6英寸产能已达1万片/月；

• 茂矽电子：6英寸SiC晶圆线下半年小量量产，月产能目标3000片。

5月3日，韩国媒体“ET NEWS”报道称，三星电子正在重新启动8英寸碳化硅晶圆代工线的建设规划，预计2028年正式量产。

该报道通过采访业内人士了解到，最近，三星电子已经跟众多合作伙伴重新讨论了建立碳化硅生产线的相关事宜。

据悉，三星正在寻求与SiC衬底/外延材料、零部件、设备领域的企业进行技术和商业化策略的讨论，并且已与部分合作伙伴就引进碳化硅生产所需的额外设备数量规模进行了商讨。

根据其中一位业内人士透露，三星之前一度中断的碳化硅代工业务已全面重启，后续将成为三星电子新的增长引擎，目前初期工作已经启动。

据“行家说三代半”了解，2023年，三星电子正式重启功率半导体布局，加速进军碳化硅和氮化镓功率半导体市场。

2023年三星连续公布了几个动作：

• 8月，提前在其器兴园区引进了少量用于制造碳化硅功率半导体的MOCVD设备，已完成的投资额在1000亿至2000亿韩元（约5.3亿元~10.6亿元人民币）之间。

• 9月，三星子公司Patron投资了一家韩国SiC厂商EYEQ Lab，投资资金达25亿韩元（约1360万人民币），强化在SiC领域的产业链协同。

• 2023年底，三星电子成立了化合物半导体解决方案（CSS）业务团队，正式启动8英寸晶圆SiC功率半导体的开发工作，该团队隶属于器件解决方案（DS）事业部。

碳化硅产品规划方面，三星电子计划于2026年第三季度开始量产SiC功率半导体样品，首款量产样品为平面栅SiC MOSFET，其战略规划为先打通平面结构量产路径，再逐步向沟槽（Trench）等性能更高的结构发起挑战。三星电子副总裁洪锡俊还曾在2025年ICSCRM会上重点介绍了三星的超结SiC平台，展现了其在SiC技术领域的核心布局。

今年5月，X-FAB集团首席运营官Damien Macq在2026年一季度的财报会议上透露，他们该季度的碳化硅晶圆出货量增至14300片，同比增长195%。

碳化硅产能方面，他们目前每月可运行多达1万片碳化硅晶圆，利用率在60%出头——每月装载约6000片碳化硅晶圆。

据“行家说三代半”了解，X-FAB的SiC晶圆制造目前全部在美国德州拉伯克（Lubbock）的6英寸晶圆厂进行，并且X-FAB正在着手产能扩产事宜。

今年2月，X-FAB在2025年第四季度及全年业绩报告会议上，透露了他们的碳化硅晶圆线投资计划。

X-FAB表示，2026年他们的资本支出预计约为1亿美元（约合人民币6.85亿），资金用途主要有2方面：

• 一部分资金明确用于推动其位于美国得克萨斯州卢伯克（Lubbock）的工厂向SiC生产基地转型；

• 另一部分用于德国埃尔福特（Erfurt）工厂向微系统（Microsystems）业务转型。

4月23日，中国台湾茂矽电子举行了法人说明会，透露了碳化硅晶圆线的量产进度及相关产品规划。

茂矽是环球晶旗下的功率半导体晶圆代工厂，专注于车用、工业及智能功率应用市场。据介绍，2025全年，茂矽电子实现营收新台币20.37亿元（约合人民币4.41 亿），较2024年增长7.6%，全年晶圆出货量达到54万片，同比年增9.5%，产能利用率平均达近九成。

2025年茂矽主要营收来源为硅基MOSFET/IGBT，占比56%；其次为二极管 (Diode/MCD)，占 25%；模拟(Analog) 产品占10%。

2023年，茂矽就开始宣布布局碳化硅晶圆代工业务。但是，该公司董事长唐亦仙在当年透露，由于部分设备交付周期长达2年，他们碳化硅晶圆线在2024年至2025年上半年主要处于筹备阶段。2025年6月底，茂矽电子完成碳化硅晶圆产线建设，并计划于下半年开启试量产。

茂矽在最近的法说会上透露，2026年他们SiC MOSFET/JFET即将送样，预计2026年下半年进入小量量产。今年他们的策略重点是导入3000片/月产能的SiC制程平台，并在2026至2027年间将产能填满。

在产品规划方面，茂矽的650V/1200V 平面式及沟槽式SiC MOSFET已经进入送样阶段。而1700V/3300V SiC MOSFET和750V/1200V  SiC JFET正在开发中，瞄准未来电源管理与AI应用。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。