效率飞跃：博世发布第三代碳化硅芯片

碳化硅

（


SiC


）

半导体

是提升电动

汽车

效率和增加续航里程的关键。博世正快速推进该领域的研发：公司已正式推出第三代

碳化硅


芯片

，并逐步开始向全球

汽车

制造商提供样片。这意味着越来越多的电动

汽车

将很快搭载博世最新的第三代

碳化硅

产品。博世董事会成员及博世智能出行集团主席马库斯



·



海恩博士表示：


“

碳化硅


半导体

是电动出行的核心‘节拍器’。它们精准控制能量流，并使其达到最高效的状态。”

“中国不仅是全球最大的新能源

汽车

市场，更在


800V


高压平台等前沿电气化架构的普及上处于领先地位。” 博世功率

半导体

亚太区负责人


Bruno Schuster


表示，“我们全新的第三代

碳化硅

技术专为满足这些严苛的高效能需求而设计。博世将结合强大的全球技术储备与不断完善的本地服务能力，全力赋能中国本土

汽车

客户的创新与发展。”

数十亿欧元投资全球制造网络和本土赋能

碳化硅


半导体

的开关速度和运行效率显著高于传统硅

芯片

。它们不仅能大幅减少能量损耗，还能在电子设备中实现更高的功率密度。博世的新一代

半导体

不仅提供了技术优势，更带来了显著的经济效益。


“我们的新一代

芯片

性能提升了


20%


，且尺寸比上一代更为精巧，”马库斯



·



海恩博士解释道。


“这种小型化是实现未来更高成本效益的长期关键因素，因为我们可以在单片晶圆上产出更多的

芯片

。通过这种方式，博世为高性能电子器件的进一步普及做出了实质性贡献。”自


2021


年推出第一代产品以来，博世已在全球交付了超过


6000


万颗

碳化硅


芯片

。

近年来，博世在

碳化硅


芯片

的研发领域不断取得进展，并持续投资其位于德国罗伊特林根的工厂，在先进的


200


毫米晶圆上生产第三代

芯片

。此外，公司计划投资约


19


亿欧元，用于装备近期在美国加利福尼亚州罗斯维尔收购的生产基地。预计今年内，该工厂将生产出首批用于客户

测试

的样片。位于德国和美国的两家工厂将共同保障

半导体

供应，这不仅创造了满足全球市场需求的产能，也将为

汽车

行业打造更具韧性且稳健的全球供应链。在中期规划中，博世的目标是将

碳化硅

功率

半导体

的年产能提升至数亿颗级别。

针对产能布局，博世功率

半导体

亚太区负责人


Bruno Schuster


补充道：“这一全球制造网络将深度赋能中国客户。当前，中国新能源

汽车

产业正经历从


400V


向


800V


高压平台的跨越式发展，对高性能、高可靠性

碳化硅


芯片

的需求极为迫切。博世通过在德国罗伊特林根与美国罗斯维尔的双中心布局，不仅能为客户提供充足的、跨区域的产能保障，更能通过极具韧性的全球供应链，助力中国本土主流车企在全球化出海进程中规避供应风险，确保生产的安全与稳定。”

深耕本土，敏捷服务

除全球产能布局外，博世已在上海组建了专门的

碳化硅

功率

半导体

研发团队及

测试

实验室，旨在针对本土新能源

汽车

市场环境下的差异化需求提供敏捷的技术支持。同时，博世在苏州落成的

碳化硅

功率模块生产基地已实现本土化量产。这种


“全球

芯片

供应


+


本土模块制造


+


本地研发验证”的组合方案，确保了博世能够与本土主流

汽车

制造商及本土先进衬底供应商展开深度协同，显著缩短从样片到量产的转化周期，共同定义未来高效出行的技术标准。

独特的


“博世工艺”是成功的关键

为了使

芯片

在面积缩小的同时实现更强劲的性能，博世运用了其独特的制造专长。公司采用了自


1994


年起即在业内广泛认可的“博世工艺”（


Bosch process


）。这种最初为传感器开发的沟槽刻蚀技术，能够在

碳化硅

中构建出高精度的垂直结构。这种结构大幅提高了

芯片

的功率密度——这也是博世第三代

碳化硅


芯片

产品在包括


800V


的高压应用场景中展现卓越性能的关键因素。