SK海力士Q1利润暴增！

4月23日，SK海力士正式发布2026财年第一财季（截至2026年3月31日）财报，交出一份亮眼的成绩单。数据显示，本季度公司营业收入达52.5763万亿韩元，按现汇率折算约合2441.12亿元人民币，同比大幅增长198%，环比增长60%；营业利润更是达到37.6103万亿韩元，同比激增405%，环比增长96%，盈利能力实现跨越式提升。

从具体季度业绩表现来看，SK海力士本季度销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润达37.6万亿韩元，营业利润率攀升至72%，创下公司成立以来的最高纪录，其中营业利润环比近乎翻倍，彰显出强劲的发展势头。各项核心财务数据的同比、环比增长均表现突出，具体明细如下：

业绩的爆发式增长，离不开公司在核心产品领域的持续深耕与创新布局。在

AI

存储核心的HBM（高带宽内存）领域，SK海力士凭借57%的市占率深度绑定核心客户，目前2026年HBM产能已全部预售，未来公司将进一步加强整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力，巩固行业领先地位。

DRAM领域，公司正加速推进技术迭代，将全面启动全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR6 DRAM供应，该产品相比上一代在数据处理速度上提升33%，电力消耗降低20%，非常适配On-Device

AI

设备需求；同时，基于同一工艺、于本月启动量产的192GB SOCAMM2也将同步开启供应，进一步丰富高端DRAM产品矩阵。

NAND闪存领域，SK海力士同样实现重要突破，目前已开始供应基于CTF技术且采用321层QLC技术的客户端固态硬盘（cSSD）“PQC21”。这款全球首款321层QLC消费级SSD，采用SLC缓存技术弥补了QLC原生写入速度的不足，容量覆盖1TB与2TB规格，首批已供货戴尔等核心客户。与此同时，为灵活应对

人工智能

领域的整体需求，公司将在eSSD全领域构建涵盖高性能TLC和大容量QLC的产品阵容，全方位满足不同场景的存储需求。

为支撑产品创新与产能扩张，SK海力士明确了后续的基础设施投资规划。公司表示，将以韩国清州M15X工厂产能爬坡和龙仁

半导体

集群建设为核心，推进基础设施完善及

EUV

等核心设备的引进，其中清州M15X工厂专注于HBM等新一代DRAM生产，龙仁集群首座工厂预计2027年2月投产。为此，公司今年的投资规模将同比大幅增加，此前已宣布计划在2027年底前向

ASML

采购价值约79.7亿美元的

EUV

光刻机，以保障先进产能落地。

SK海力士强调：“公司将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长。也将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务稳健性。”随着

AI

算力需求的持续爆发，存储

芯片

已成为

AI

时代的战略级生产资料，SK海力士凭借业绩增长与技术布局的双重优势，正全力抢占

AI

存储市场的发展先机。