两项第三代半导体团体标准，正式发布！

5月6日，遵循第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，由赛迈科先进材料股份有限公司牵头制定的团体标准T/CASAS 068—2026《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》和由山东大学牵头制定的团体标准T/CASAS 069—2026《半导体晶片激光刻字深度的测定白光干涉法》正式面向产业发布。 

多孔石墨是半导体制造，特别是碳化硅晶体生长（衬底、外延），不可或缺的关键基础材料。 

衬底单晶生长方面，作为一种高孔隙率碳基材料，多孔石墨主要通过调控生长腔内的碳硅原子比率、优化温度梯度分布以及抑制杂质扩散等方式，提高晶体质量，支撑获得更大尺寸晶片。在晶体生长过程中，Si粉、C粉原料需要升华成气体再结晶，多孔石墨通过其孔隙结构，分流、混合、疏导、控制原料气体，提供额外的碳源，提高生长区域的C/Si比，按照需要的碳、硅比例实现可控释放，保证整个生长过程中物质流动的稳定性，从而有效减弱晶体边缘的多晶化效应，确保单一晶型生长。 

同时，多孔石墨的热传导特性也有助于均匀化粉末区温度场，减少逆向蒸气传输和粉末表面再结晶现象，从而提高碳化硅源材料的利用率和晶体生长速率，并优化轴向电阻率分布，实现更均匀的电学性能等，尤其适用于大尺寸单晶的制备。通过调控孔隙类型并结合热场优化，多孔石墨还可抑制晶体边缘分解，促进直径扩展，改善整体生长稳定性。 

外延工艺中，在碳化硅外延炉局部位置使用多孔石墨，利用其独特的结构和导热特性，可以调节外延炉腔室内的温场分布，从而显著改善外延层的沉积厚度和掺杂浓度的均匀性，在减少外延片因温度不均匀导致的翘曲或裂片的环节也可以发挥重要作用。 

本文件规定了碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。

本文件适用于纯度要求达到5N5（质量分数99.9995%）以上的碳化硅单晶生长及外延用各向同性多孔石墨材料，以及用该材料制作的多孔石墨构件等。

 【本文件主要起草单位】

赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创真空技术有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体责任有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、杭州海乾半导体有限公司、浙江大学、北京第三代半导体产业技术战略创新联盟。 

【本文件主要起草人】

屈睿航、周明、吴厚政、李贺、吴周礼、刘育恒、高玉强、宁秀秀、侯晓蕊、袁毅凯、孔令沂、徐嶺茂、张静、彭珍珍、高伟、张逊熙、徐瑞鹏。

在半导体制造行业中，晶片上的激光刻字是关键的标识和追踪手段，用于标识晶片批次、型号及工艺参数。刻字深度直接影响标识的持久性、可读性以及晶片的结构完整性。过浅的刻字可能导致标识磨损失效，而过深的刻字则可能引入微裂纹或应力集中，损害晶片性能。因此，精确测量激光刻字深度是保证产品质量和可靠性的核心环节。 

然而，现有测量方法各有局限，难以满足半导体晶片激光刻字深度测量的高精度、无损伤等要求。其中，扫描电子显微镜（SEM）虽能实现高分辨率成像，但属于破坏性测量，会直接损毁样品，无法用于量产晶片的在线检测，通常仅作为特定场景下的验证手段；其操作复杂，在深度测量方面精度有限，且真空环境对样品放置有严格要求，整体效率较低。台阶仪属于接触式测量，探针与晶片表面接触可能造成划伤，尤其对碳化硅、氮化镓等脆性半导体材料，易引发表面损伤或残余应力，且测量速度慢，不适用于批量检测。激光共聚焦显微镜虽为非接触式，但在纳米级深度测量时，受光学系统轴向分辨率限制，其精度通常不如白光干涉法，并且面对表面反光率差异较大的刻字区域时，测量稳定性也容易受影响。此外，现有测量方法缺乏统一标准，导致行业内测量结果参差不齐，影响了数据的可比性与质量控制的一致性。

T/CASAS 069—2026《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》描述了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。 

【本文件主要起草单位】

山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东中晶芯源半导体科技有限公司、杭州海乾半导体有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 

【本文件主要起草人】

陈秀芳、徐现刚、张木青、孔令沂、李青璇、牛爽、赵轩伊、谢雪健、吴载炎、黄俊、高伟、徐瑞鹏。 

重要会议推荐

为更好的推动国内先进半导体封装技术与应用交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，江南大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办，将于2026年5月15-17日举办“2026先进半导体封装技术与应用论坛（CASPF 2026）”。论坛内容将围绕硅、碳化硅、氮化镓等集成电路封装技术，涉及先进半导体材料，器件，封装工艺、装备、制造、应用等相关主题，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪先进半导体封装最新技术进展，分享应用及相关生态链构建发展，携手促进先进半导体封装技术协同发展。——重磅议题公布！CASPF2026先进半导体封装论坛5月江南见