CASPF2026报告前瞻

硅通孔（TSV）转接板是2.5D先进封装与Chiplet架构的核心使能技术，通过高密度TSV与多层RDL实现异质集成。但转接板涉及硅、铜、介质层等热膨胀系数差异显著的材料，经多道热加工后易产生严重晶圆翘曲，影响光刻对准与键合良率，成为量产瓶颈。= 

5月15-17日，由江南大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026先进半导体封装技术与应用论坛（CASPF 2026）”将在江阴启幕，聚焦硅基、碳化硅、氮化镓等领域的技术痛点与产业机遇，探讨国产技术如何赋能产业链协同发展。 

武汉大学集成电路学院教授张召富受邀将出席论坛，并带来《硅通孔转接板晶圆翘曲机理与多尺度建模仿真方法》的主题报告，报告将围绕机理与仿真方法，对TSV转接板翘曲问题进行系统探讨。在多尺度建模方面，聚焦从微观代表性体积单元（RVE）到晶圆级的跨尺度建模，重点讨论基于有限元均匀化的各向异性等效性能预测框架。针对传统仿真计算量大、难以支撑快速迭代的问题，将进一步介绍融合CNN与GNN的混合深度学习框架。

张召富教授，长期致力于宽禁带半导体材料与器件、先进封装工艺多物理场多尺度仿真等领域的研究，其团队开发的多尺度仿真方法，已在先进封装工艺优化、宽禁带器件设计等方面取得多项突破性成果，为我国半导体产业的自主可控发展提供了重要技术支撑。此次论坛上，张召富教授将分享其团队在多尺度建模仿真方法上的创新成果，为解决相关难题提供新思路。敬请期待！

嘉宾简介

张召富，武汉大学集成电路学院，教授，博导。香港科技大学博士，英国剑桥大学博士后。张教授长期从事集成电路半导体材料与器件的协同设计及面向先进封装技术的多物理场多尺度仿真相关领域研究。发表SCI论文90余篇，申请发明专利20余项。在国内外学术会议做邀请报告20余次。入选国家海外高层次青年人才，连续多年入选斯坦福大学全球前2%顶尖科学家。担任多个期刊编委和青年编委。 

团队简介

武汉大学集成电路学院（School of Integrated Circuits，Wuhan University）是以集成电路学科设计-制造-封测-可靠性全链条融通进行人才培养为主的实体学院。依托武汉大学相关院系，结合现今集成电路研究进入纳米尺度展现出更丰富物理现象的趋势，借鉴物理思维，聚焦后摩尔时代集成电路学科的新兴及关键问题，注重前沿创新并与集成电路产业有机结合，用物理基础助力集成电路技术的弯道超车。

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合作期刊：《电子与封装》, 《半导体学报》

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