盛美上海首台PECVD SiCN设备顺利出机，可满足IC工艺后段应用及先进封装晶圆级键合应用的严苛工艺需求

△盛美上海


PECVD SiCN设备

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，于今日宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备已正式出机。

该设备在盛美上海临港实验室已验证满足工艺指标，现发往客户端进行最终验证。

盛美上海的PECVD SiCN设备基于自研的沉积架构设计，满足先进半导体制造中日益严苛的工艺要求。该平台在单一反应腔内配置了三个工艺工位（专利申请保护中），采用旋转沉积的方式，每个工位完成总膜厚三分之一的沉积。这种设计能够实现对界面层形成、气流管理及薄膜均匀性的更精确控制。此外，盛美“一工位一射频”控制软件技术，通过每个工位独立的射频系统实现对等离子体的独立控制，大幅提升工艺的稳定性与一致性。

该设备专为300毫米晶圆工艺设计，最高工艺温度可达400摄氏度。该平台配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体，以支持高效的晶圆传送与工艺运行。

该设备旨在支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺，应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。随着逻辑器件的微缩及集成度要求的日益严苛，对颗粒、等离子体稳定性及界面层的更精准把控变得至关重要。这些严苛要求同样正推动着先进封装领域对SiCN薄膜的需求——其薄膜特性非常适用于下一代器件集成中的晶圆级键合等应用。在这些应用中，SiCN薄膜的高粘附性、高键合能及致密特性，有助于提升集成可靠性、抑制金属离子扩散，并支持更高密度的器件架构。