士兰微电子5.5kW PSU方案助力算力供电升级

当前算力数据


中心


正朝着800V直流母线架构加速演进，士兰微电子凭借在


半导体


各细分领域的深厚积累，构建了“从电网到核心”的全链路供电解决方案，可为算力数据中心供电系统提供士兰“功率器件+


电源管理


IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、eFuse、Multiphase Controller、DrMOS、POL 等产品，全面覆盖算力


电源


SST、HV


DC


、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、


Ac


celerator Card等应用，为高性能计算应用的发展注入强劲动力。本篇将介绍士兰微电子在5.5kW PSU上的成套应用方案。

方案介绍

下图为由“图腾柱


PFC


+LLC”组成的5.5kW PSU。

在图腾柱 PFC、连续导通模式的高频高效拓扑中，快管承担高频硬开关动作，开关损耗决定了整机效率、温升与功率密度，需要选用低 Eon、Eoff 且栅电荷 Qg 优异的 SiC


MOSFET


。士兰微650V电压平台系列的SiC MOSFET产品（料号为SCDP65R040NB2LB）满足上述应用场景的需求，可显著降低高频工况下的能量损耗，提升系统整体转换效率，同时减少散热压力，支持更高频率、更高功率密度的电源设计，满足数据中心、服务器电源等场景对高效、高可靠供电的严苛需求。

PFC慢管工作在工频整流状态，导通损耗与直接决定整机效率、温升与运行可靠性。选用士兰微的低导通电阻 Rds (on)、正向压降优异，同时兼顾浪涌


电流


能力的超结 MOSFET（料号为SVSP60R022LBS5），在工频导通期间的损耗有效降低，提升系统效率与热稳定性。

在 LLC的SR位置，中重载情况下软关断，轻载情况下硬关断。士兰微的自研低压MOSFET（料号为SVGP801R8NL5-3HF）具有导通电阻 Rds (on)低、栅电荷 Qg 小、反向恢复特性优异的特点，能帮助客户提升半载和满载效率，优化轻载时


EMC


表现。

士兰微SiC MOS、超结MOS以及低压MOSFET方案已助力头部客户在5.5kW PSU 产品上实现功率转换效率达到97.5%。今后，士兰微电子将继续深耕算力数据中心供电领域，迭代推出更多先进产品，助力各电源客户实现更高的效率目标。