车规 SiC 硬核突围，3000万颗落地！方正微电子G3 SiC 登场，国产替代提速

当前，全球

汽车

产业正经历一场以


“电动化+智能化”为核心的深刻变革，而

半导体

，特别是以

碳化硅

为代表的第三代

半导体

功率

芯片

，已成为这场变革中决定性能上限的“核心引擎”。这一关键赛道



，



长期被以意法

半导体

、英飞凌、安森美为代表的国际巨头主导，且凭借深厚的技术壁垒、专利布局与供应链生态，形成难以突破的垄断格局。中国作为全球最大的新能源

汽车

市场（


2023年销量占全球约70%，中汽协），庞大的本土市场需求带来了绝佳的发展基于。与此同时，迫在眉睫的国产替代需求，倒逼国产

芯片

必须加速迭代与突围，推动车规SiC领域的国产替代进程。

正是在此背景下，中国企业的任何实质性突破都意义非凡。


2026年北京国际车展期间，方正微电子宣布其车规级

碳化硅

MOSFET

芯片

累计出货量已突破30000万颗。这不仅是一个数字里程碑，更标志着国产

碳化硅


芯片

在经历了漫长研发验证后，首次在规模化、高可靠量产层面获得了主流市场的“硬核”通行证。

主驱逆变器作为新能源

汽车

电驱系统的核心功率转换单元，其性能直接决定整车的能效、续航与动力表现。而

碳化硅

材料凭借耐高压、高频、高效的核心物理特性，成为提升逆变器效能、推动电驱平台跨越式升级的


“关键使能器件”。“这3000万颗

芯片

，是量产客户在实际行驶里程与复杂工况中的长期验证。”




方正微电子总裁吴伟涛



强调，这一成绩的取得，既体现了公司在规模化量产、质量一致性以及全球市场渗透方面已获得主要客户认可，也标志着国产

碳化硅

功率器件在量产能力与市场应用层面迈入新阶段。

G3新平台，定义性能与成本新基准

如果说规模化出货是


“站稳脚跟”，那么同步发布的全新一代SiC MOSFET G3平台，则展现了国产

芯片

从“可用”到“好用”、甚至“领先”的技术野心。








该平台首款量产产品1200V 11mΩ，在核心指标上实现了对国际标杆的直面竞争。尤为关键的是，其在175℃高结温下依然保持优异的导通特性，这对于电动车持续高负荷运行场景至关重要。“高温下的稳定性，直接转化为更低的系统损耗和更可靠的动力输出。”



方正微电子副总裁彭建华



解释道。

G3平台三大核心突破

高性能

l






芯片

面积


4.99×4.99mm²，同等

芯片

面积，出流能力提升10%；

l





导通电阻，


25℃常温下11.08mΩ，与标称 11mΩ 完全匹配，是行业同电压段的顶尖水平；

l




175℃高温，19.96mΩ，高温性能衰减小，适配车载长时间高负荷运行场景；

l





在


- 50℃~175℃ 全温区，击穿电压均＞1500V，远超 1200V 的额定规格，留足车规级安全裕量，应对车载高压瞬态冲击。

高可靠

l





通过


3000小时车规可靠性加严

测试

，保证车规

芯片

的安全可靠；

l




在生产环节额外加严筛选，提前剔除潜在失效风险；

l





短路耐量


2.4μs，在车载高压短路故障中能为系统保护留出足够响应时间，避免器件直接烧毁，是车规场景的核心安全指标。

高价值

l





采用创新封装，仅需


4颗

芯片

并联即可替代行业通用的6颗方案，单模块

芯片

数量减少，整体成本较国际头部产品降低40%；

l





平台兼容


600V~1100V 母线电气框架，可适配不同电压等级的车型平台，降低方案改造成本；

l






芯片

效率提升，散热体积较上一代产品可降低


15%，减少整车电驱系统的散热设计压力，同时进一步降低系统成本与体积。

垂直整合与战略纵深

单一产品的成功难以持久。方正微电子的深层竞争力，在于其近年来坚定构建的


“





材料


-设计-制造-封测




”垂直整合能力，并始终以技术突破为核心，从自研外延材料、与中芯国际等国内头部晶圆厂深度合作，实现从材料、设计到制造的自主可控。

彭建华介绍，自


2023年上市以来，公司产品迭代速度显著加快，聚焦高频、高效、低成本三大方向，通过材料创新、设计优化、工艺管控，已达到车规级最高可靠性标准。截至2026年4月，方正微电子已完成三代产品更新，最新一代G3平台性能达到国际头部水平。

基于此，公司形成了清晰的迭代路径与战略布局：

l





技术路线：




聚焦


SiC

碳化硅

的技



术探索，平衡性能与安全，坚持平面栅与沟槽栅技术并行的发展路线。当前以可靠性更优的平面栅技术实现大规模量产，同时沟槽栅技术进入工程验证阶段，确保性能持续领先。

l





产能保障：



2024年


6英寸SiC产线已实现量产，良率超80%。目前两大产线布局：FAB1 的 6 英寸产线当前月产能达 1.5 万片；FAB2 兼容 6/8 英寸产线，中试线月产能 3000 片、量产线月产能 9000 片，为未来 8 英寸大尺寸 SiC 产品升级做好储备。依托 “材料 - 器件 - 设计 - 制造” 全链条自主能力，实现了从技术突破到规模量产的闭环，年产能可满足 300 万辆新能源车的

芯片

需求。

l





生态合作：




与下游车企（如华为、理想）联合开发，与上游材料供应商深度绑定，与科研机构构建合作生态，通过


“定义-研发-验证”不断推动技术迭代与产业化落地，共同构建车规

芯片

可靠性与稳定性，为新能源

汽车

行业注入技术动力与供应链安全保障。

l





场景拓展：




始终以技术突破为核心，核心策略的是


“先难后易”：先攻克技术壁垒最高的车规级

芯片

，再逐步拓展至工业、光伏、储能等场景，坚持“先攻克车规级（最难领域），再拓展至工业、光伏、储能等场景”的战略。此外，方正微还将拓展至

5G


芯片

、AR/VR

芯片

等多领域，延伸至机器人、低空经济等新兴场景，依托完整的自研与代工体系，通过“一代开发、一代量产”的迭代模式，保障供应链安全，助力全球绿色能源转型。

彭建华进一步介绍，方正微已具备规模化生产能力，产品覆盖主驱逆变器、车载充电机（


OBC）、DC-DC转换器及高压配电单元（PDU）等多个车规关键场景。2025年，公司主驱

芯片

已规模应用于国产高端新能源车型，客户侧质量表现甚至超越国际头部友商产品。“我们通过‘技术突破+全产业链布局’，彻底解决了车规级

芯片

的可靠性与量产难题。”彭建华表示，2026年公司目标是实现产能覆盖全球市场，技术指标全面对标国际头部企业，推动全产业链自主可控。

结束语：从追赶到领先，一场关乎


“定义权”的漫长竞赛

方正微电子


3000万颗

芯片

的“上车”，是中国

碳化硅

产业从技术突破迈向商业成功的关键一步。它证明，在资本、需求与国家战略的多重驱动下，中国

半导体

企业有能力在最严苛的车规赛道中完成从0到1、从1到N的跨越。

然而，这远非终局。全球

碳化硅

市场竞争已进入以成本、生态和下一代技术定义权为核心的新阶段。中国企业的挑战，将从如何


“做出来”，转变为如何持续“做得更好”，并最终在全球技术演进路线上烙下自己的印记。这场竞赛，关乎供应链安全，更关乎未来十年全球新能源

汽车

产业核心价值链的分配格局。

方正微电子的规模化量产，不仅是企业自身的里程碑，更是中国

半导体

产业在车规赛道突破的缩影。在国际垄断与本土需求的双重驱动下，以方正微电子为代表的国产企业，通过全产业链布局、持续技术创新，正逐步打破国际巨头的垄断格局，为这场漫长竞赛点燃了至关重要的引擎。