重大突破，8 寸碳化硅激光剥离总损耗迈入 40μm 时代！

当下，第三代半导体产业正迎来全新的结构性变革，碳化硅（SiC）衬底不再局限于新能源汽车、储能等传统优势赛道，持续向先进封装、射频通信、光学半导体等高端前沿场景延伸渗透。

在产业快速迭代的浪潮下，8英寸碳化硅凭借成熟的产业化体系、广泛的场景适配性与优异的产能性价比，成为国内SiC企业规模化扩产、抢占高端市场的核心布局方向。行业竞争也从粗放式产能扩张，逐步转向低损耗、高良率、高稳定性的精细化工艺比拼。

大尺寸碳化硅量产进程中，激光剥离是贯穿衬底加工的核心关键工序，直接决定晶锭利用率、成品良率与终端生产成本，是8寸SiC规模化、高端化量产的核心技术卡点。目前行业主流量产激光剥离方案，损耗长期稳定在60–80μm区间，难以突破降本增效瓶颈，无法完全适配高端车规、先进封装领域的高标准量产需求。

聚焦行业量产痛点与产业升级需求，中微精仪深耕碳化硅激光剥离核心技术，完成设备架构、光路调控、工艺算法的全链路迭代升级，率先实现技术量产突破——8英寸碳化硅激光剥离量产总损耗正式迈入40μm时代，为国产大尺寸SiC产业化发展提供全新的高性能解决方案。中微精仪激光剥离设备出货即量产，设备调试时间短，激光剥离量产总损耗低于40μm，不仅可以为客户多出片，而且在客户前后端的碳化硅晶片减薄过程中，耗材可以节省50%，加工时间也节省50%。

碳化硅材料硬度趋近金刚石，加工难度极高，是行业公认的硬脆性难加工材料。传统线切割工艺存在损耗大、效率低、耗材成本高、易产生微裂纹等诸多问题，早已无法适配现阶段规模化量产需求。

即便激光剥离工艺逐步替代传统加工方式，业内多数设备仍受限于光路精度不足、能量控制不均、热影响区过大等技术短板，始终无法突破60μm的损耗瓶颈。针对行业共性技术难题，中微精仪基于多年半导体激光加工经验，优化底层核心技术逻辑，精准控制激光能量作用深度与加工范围，有效抑制材料损伤与损耗，成功实现8寸SiC量产总损耗稳定控制在40μm以内，兼顾超低损耗、超高良率与持续稳定量产能力，攻克行业长期存在的工艺壁垒。

依托全栈自研的核心技术体系，本次40μm级超低损耗技术突破，实现损耗、效率、良率、成本四大维度全面升级，形成差异化核心竞争优势，全方位赋能客户量产落地。

1、极致超低损耗、最大化释放晶锭价值

设备量产总损耗稳定≤40μm，相较于行业主流 60–80μm 加工方案，损耗降低 30% 以上；对比传统线切割工艺，损耗降幅高达 80%。现阶段量产可实现 400μm 晶锭稳定加工产出 350μm 合格衬底片，实打实把超低损耗转化为出片增量与成本优势。中微精仪设备采用无耗材、无化学试剂的绿色加工模式，不仅规避耗材损耗与二次污染问题，更大幅提升单根SiC晶锭出片量，最大化挖掘原材料价值，助力客户有效降低单片生产成本。

2、高效稳定加工、适配全时段规模化量产

通过智能闭环能量调控算法与精密光路优化，8英寸SiC单片剥离时长＜15分钟，加工效率较传统工艺提升20–30倍。设备支持24小时不间断连续量产，加工一致性高、良率表现稳定，可有效规避批量生产中微裂纹、表面损伤等品质问题，完全契合车规级、高端工业级碳化硅衬底的严苛生产标准。

3、全链路技术壁垒、适配多元量产场景

核心技术覆盖自研光源、精密光路设计、热效应抑制算法、自动化量产控制系统全链条，摆脱外部技术依赖。设备可适配不同电阻率、不同规格的8寸碳化硅衬底，支持客户定制化工艺调试。同时依托成熟的模块化设计，设备交付稳定、落地适配性强，可快速匹配下游企业产能扩张节奏，目前已通过多家头部SiC企业的现场验证与小批量量产导入。

从行业普遍60–80μm的损耗水平，到稳定实现40μm超低损耗量产，这不仅是单一工艺参数的迭代升级，更是国产SiC激光剥离装备从工艺跟跑到技术领跑的关键性跨越。

随着第三代半导体高端应用场景持续扩容，工艺精细化、成本极致化、产能稳定化，将成为SiC企业核心竞争壁垒。未来，中微精仪将持续深耕大尺寸碳化硅激光剥离领域，持续迭代8寸、12寸量产工艺与设备技术，以自主可控的国产核心装备，助力国内碳化硅产业降本增效、高端突围，推动第三代半导体产业高质量规模化发展。

针对不同规格碳化硅衬底、不同量产产能需求、不同工艺标准，中微精仪可提供一对一定制化工艺调试、设备适配、量产方案落地全流程对接服务，精准匹配企业产线升级、工艺迭代、产能扩产等多元需求，助力客户快速实现降本增效、工艺升级。

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