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数据库存储芯片进入超级暴利周期！三巨头赚得盆满钵满
本周四，三星电子公布第一季度净利润，折合超过
300
亿美元。这不仅大幅刷新公司历史单季盈利纪录，甚至已接近这家韩国企业过去全年利润的最高水平。
三星第一季度营业利润中，约
94%
来自
半导体
业务。
三星在存储领域的主要竞争对手
——
韩国
SK
海力士与美国美光科技，近期也交出了同样惊人的成绩单。这三家公司主导着全球存储
芯片
市场，而存储
芯片
正是与英伟达
处理器
搭配、支撑
AI
运算的核心器件。
尽管市场对于
AI
服务未来能否真正实现高额盈利的担忧正在增加，但围绕
AI
基础设施建设的企业，却正持续获得巨额利润。
而这场历史级高景气行情，短期内似乎仍难结束。
三星存储业务执行副总裁金宰俊表示，根据公司目前已锁定的订单情况，明年的供货紧张局面还将进一步恶化。他在周四财报电话会议中表示：
“
目前可供市场的产能，远远无法满足客户需求。
”
自今年年初以来，三星电子股价累计上涨
72%
，
SK
海力士上涨
90%
，美光科技上涨
65%
。
市场研究机构
TrendForce
（集邦咨询）数据显示，
2026
年第一季度存储
芯片
价格较上一季度上涨近
100%
，约为此前市场预期涨幅的两倍。
近几年，存储厂商优先扩大
AI
专用高带宽内存（
HBM
）的产能，这也限制了智能手机、个人电脑以及通用服务器所使用传统存储
芯片
的供应。大语言模型训练通常需要将英伟达
GPU
与
HBM
搭配使用。
而近期，
AI
推理需求持续升温
——
也就是让已经训练完成的大模型响应用户请求的计算场景。这进一步带动了通用服务器需求，而此类服务器主要使用传统存储
芯片
，也将三星、
SK
海力士和美光的盈利能力推升至新的高度。
根据
FactSet
的预测，这三家企业
2026
年合计净利润预计将达到约
3500
亿美元。届时，它们都将跻身全球利润最高的十大上市公司之列，其中三星甚至有望超过
Alphabet
、微软与苹果，跃居全球第二。而就在一年前，这三家存储厂商还没有一家进入全球利润前十。
业内分析师指出，一座
芯片
晶圆厂的建设成本通常超过
200
亿美元，且建设周期长达数年。虽然三星、
SK
海力士和美光都在扩建新产线，但新增产能预计要到
2027
年末甚至
2028
年才能完全释放。同时，大量产线资源正被分配给
HBM
，而
HBM
相比传统存储
芯片
需要占用更多产能。
存储
芯片
主要分为两大类：
DRAM
：为服务器、
PC
及其他电子设备提供临时数据存储，以实现高速数据处理；
NAND
闪存：负责长期数据存储，例如手机照片、文件等内容保存。
HBM
则是通过将多层
DRAM
芯片
垂直堆叠，再与英伟达等厂商的
处理器
共同封装，从而提升
AI
运算性能。英伟达目前与三星、
SK
海力士、美光均保持紧密合作关系。
市场研究机构
Counterpoint
半导体
分析师黄敏秀（
MS Hwang
）表示，目前
DRAM
与
NAND
两大产品的营业利润率，相比正常水平几乎翻倍：
DRAM
利润率已达到约
80%
，
NAND
闪存最高接近
60%
。
她
还表示，服务器、
PC
与智能手机行业的大型企业，如今正愿意支付更高价格，大规模采购并囤积存储
芯片
，以限制竞争对手获取供应。
“
现在市场的逻辑是：谁掌控存储供应，谁就有机会主导
AI
产业。
”
她
说。
全球电子元器件分销商
FusionWorldwide
执行副总裁
Marcus Chen
表示：
“
当前市场正在经历史上最严重的存储
芯片
短缺。
”
他称，其服务的大多数客户，目前只能拿到自身需求量
30%
至
50%
的存储
芯片
，
“
有些甚至更少
”
。
过去，客户与存储厂商之间长期依赖口头协议锁定供货，但如今部分合作已经转向具有法律约束力的长期合同。
花旗
半导体
分析师
Peter Lee
表示，部分合同期限长达五年，客户不仅需要预付约
30%
款项，甚至还要分摊新建存储晶圆厂的投资成本。
“
我们正在看到客户愿意做到这种程度。
” Lee
表示。
