美光宣布：重启DDR4生产！存储芯片，产能翻倍！

常规存储芯片的大量缺口，不仅遏制了传统消费产品的生产，也让几大原厂的供应呈现结构化分布。由于将大部分产能投入到HBM，传统存储芯片的需求始终无法让市场满足。不过最近，美光已经开始着手重启DDR4的生产，预计DDR4的产能将翻番，不过需要注意的是，新产能的投入和量产需要时间。

美光重启DDR4及LPDDR4生产

美光科技日前宣布，已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动 1α（1-alpha）DRAM 的生产，这些技术将用于生产DDR4及LPDDR4产品，预计将于今年年底实现全面量产，将使该基地DDR4 晶圆供应量提升四倍。主要服务于汽车、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体，该客户群体中并未包含数据中心领域。

美光将 1α制程引入弗吉尼亚州，实际上是为 DDR4 和 LPDDR4 建立了一条专用的本土生产线，从而避免与美光面向 AI 市场的尖端产品争夺晶圆产能。

美光此次扩大 DDR4 生产规模，主要是为了缓解意料之外的供应紧缺。随着 AI 浪潮的爆发，全球三大 DRAM原厂正将产能集中转向 DDR5、LPDDR5X 和高带宽内存（HBM），以满足数据中心和超大规模云服务商的旺盛需求。

美光也于 2025 年针对主流消费级和数据中心领域的 DDR4 及 LPDDR4 产品发布了停产通知（EOL），预计相关最终出货在 2026 年初结束。然而，这项集体停产的决定，直接让拥有超长产品生命周期(long product cycles)的传统工业陷入巨大断供风险。

S&P Global Mobility估计，2026年全球车用DRAM的合约价格将比2025年飙升70%至100%，并警告旧世代车用DRAM的供应量将在2028年底前急遽枯竭。据悉，汽车与工业买家手中的DDR4缓冲库存，已从过去的31周以上，大幅萎缩至6~8周。

随着产能的转移使得汽车、工业等依赖长生命周期产品的行业面临供应风险，美光重启DDR4生产并扩产正是为了填补这一市场缺口。

美光最初是于2020年底在中国台湾厂房开始量产1α制程DRAN，与前一代1z制程相比，能提供额外40%的位密度(bit density)。该技术采用的是深紫外光(DUV)微影曝光技术，而非更为昂贵、且三星在其先进DRAM制程中采用的极紫外光(EUV)设备。

相比之下，美光更新一代的1β与1γ制程，则已全数贡献给了DDR5、LPDDR5及HBM等前线AI战场。

CEO表态：存储缺货将延续至2026之后

美光科技执行长马罗特拉（Sanjay Mehrotra）此前也对存储市场的缺货发表看法。

据其接受专访时表示，受人工智能（AI）浪潮带动，全球内存芯片短缺情况严峻，预计这波缺货将延烧至2026年以后。他坦言，美光目前对核心客户需求的满足率仅达50%至三分之二左右。

被问及产能扩充的最大瓶颈时，马罗特拉直言，晶圆厂的基础土建工程是周期最长、挑战最高的环节，光是厂房硬件结构的兴建就需要数年时间，后续设备进场、安装及产线认证同样耗时费力。他强调：「行业内真正意义上的大规模新产能，要到2028年前后才会开始显现。」

在投资布局方面，美光正在维吉尼亚州马纳萨斯、爱达荷州博伊西及纽约州锡拉丘兹三地同步推进建厂计划，预计在美国总投资规模高达2000亿美元。其中，博伊西厂房最快将于明年年中产出首批晶圆，纽约厂区则规划兴建四座晶圆厂。

马罗特拉表示，随着上述厂房在未来十年陆续投产，美光在美本土的产量占全球总产量比重，将从目前的约10%大幅提升至40%左右。

作为美国境内唯一的本土内存制造商，马罗特拉表示，这一身份在与美国的合作上具有独特优势。他指出，美国客户高度重视韧性且安全的本土供应链，而美光正全力打造这样的能力，以应对来自三星、SK海力士等韩国竞争对手的市场竞争。

马罗特拉同时强调，尽管外界看好内存需求前景，美光的产能扩充仍将保持严谨纪律，会密切兼顾供需平衡，持续为未来的成长蓄力、满足市场迫切的需求。