半导体公司简介之024:长鑫存储

2026年5月17日,国产DRAM龙头长鑫存储更新科创板IPO招股书,披露了一组让资本市场震撼的财务数据:2026年一季度营收508亿元,同比暴增719%;归母净利润247.62亿元,同比增长1688% ,折算日均盈利近3.6亿元。
更让人惊叹的是,这家公司自成立以来累计亏损高达366.5亿元,而仅用一季度92天的时间,便将历史亏空几乎全部填平。同期,在A股非金融上市公司中,其单季归母净利润规模已跻身前五,仅次于中国石油、中国海油、中国移动和贵州茅台。
长鑫存储预计,2026年上半年营收将达1100亿至1200亿元,同比增长超6倍;归母净利润500亿至570亿元,同比增长超22倍。
从累计亏空超366亿元到单季盈利近250亿元——长鑫存储只用了不到半年时间。这个戏剧性的盈利反转背后,究竟藏着怎样的故事?

一、九年历程:中国DRAM从零到一的破局
长鑫科技成立于2016年,是中国第一家专注于DRAM研发设计制造一体化的IDM企业。在它诞生之前,国内在DRAM领域几乎没有技术和产业积累,全球DRAM市场长期被三星电子、SK海力士和美光三大巨头垄断,合计占据全球90%以上的市场份额。
技术突围:从奇梦达到“跳代研发”
长鑫的起跑线选择了极高难度路径——它没有从低端制程做起,而是直接切入主流DDR4标准,从一开始就锚定了与国际巨头同台竞争的赛道。
2019年9月,长鑫推出自主设计生产的8Gb DDR4产品,实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。此后,公司采取“跳代研发”策略,快速跨越多个技术代际,截至2025年已完成第一代到第四代工艺技术平台的全量产迭代。
2025年11月,长鑫正式发布新一代DDR5系列产品,最高速率达8000Mbps、单颗容量24Gb,同步推出覆盖UDIMM、RDIMM等七大模组,实现对服务器、工作站到个人电脑的全场景覆盖;同期发布的LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps,较上一代LPDDR5提升66%,功耗降低30%,性能达到国际主流水平。
2026年4月,LPDDR6已进入送样阶段,有望实现全球首发。
高强度的研发投入
这种技术突破建立在持续的高强度研发投入之上。2022年至2025年上半年,长鑫累计研发投入达188.67亿元,占累计营收的33.11%。截至2025年6月底,公司拥有5589项专利,其中包括3116项境内专利和2473项境外专利,研发人员占员工总数超30%。
资本路径与上市进展
2025年7月,长鑫正式启动IPO辅导,12月获上交所受理。本次科创板IPO拟募资295亿元,为科创板历史第二大融资规模,仅次于中芯国际。资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM技术升级及前瞻性技术研发。
股权结构方面,长鑫呈现出“国资搭台、市场化运作”的鲜明特点。第一大股东清辉集电持股21.67%,穿透后由合肥国资主导;大基金二期持股8.73%,阿里、腾讯、小米等产业资本亦位列股东名单。

二、业绩爆发:三重因素叠加的“超级周期”
长鑫存储一季度业绩的惊人增长,可归因于三重因素的叠加共振。
第一重是AI算力需求的指数级爆发。2025年下半年以来,大模型训练与推理需求呈指数级增长,单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8至10倍,全球DRAM产品供不应求。
第二重是供给端的结构性短缺。三星、SK海力士、美光将大量产线转向利润更高的HBM生产,由于单颗HBM芯片消耗的底层DRAM晶圆产能相当于3至4颗标准DDR5芯片,通用DRAM供给持续受压。
第三重是产品价格的大幅上涨。据TrendForce数据,2026年一季度常规DRAM合约价环比涨幅达93%至98%,第二季度预计仍将上涨58%至63%,全年均价涨幅约88%。部分规格的DDR4颗粒过去一年涨幅接近20倍。
产能与市场份额的同步跃升
目前,长鑫在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。预计2026年末月产能将攀升至30万片,同时计划启动HBM产线建设,年底投产。部分机构预测年底月产能有望进一步提升至35万至40万片,全球市占率有望冲击15%至20%。
全球市场份额方面,据Omdia数据,按2025年第四季度DRAM销售额计算,长鑫全球份额已从二季度的3.97%增至7.67%。从全球排名看,长鑫一季度归母净利润在全球主要存储厂商中位列第四,仅次于三星电子、SK海力士和美光科技。
与此同时,2025年下半年以来,长鑫产销持续高度紧张,产能利用率达95.73%,全面进入“先款排产”的卖方市场格局,下游客户需提前打全额货款才能排队排产。

三、技术跃迁:从追赶到并跑的加速度
制程工艺的连续突破
长鑫此前主要生产17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等产品。2024年11月首发LPDDR5,2025年初成功实现DDR5商业化。值得关注的是,首款商用DDR5产品并未停留在原计划的17nm,而是直接采用16nm制程技术,标志着制程开发速度超出预期。
目前,15nm制程技术也在开发中,目标2025年内完成研发,最快2026年下半年达成商业化。17nm DRAM工艺良率已稳步提升至80%以上。
前沿技术布局
HBM高带宽内存: 长鑫存储投入HBM领域仅约3年,2026年初已启动12层HBM量产。HBM制造关键在于DRAM多层晶片的精准键合与垂直堆叠,技术门槛极高,此次量产量产是中国半导体制造能力持续提升的重要指标。目前与韩国巨头的技术差距已缩小至3年内,约20%的DRAM产能将转投入HBM生产,月产能有望达6万片。
前沿存储器技术: 2025年,长鑫两项技术成果被IEDM(国际电子器件大会)收录,论文数量居国内企业之首。展示的3D FeRAM方案兼具接近DRAM的读写速度和接近NAND的低功耗特性,是前景广阔的新型存储方案。

四、产业链生态:从单点突破到集群共振
长鑫的崛起,带动了一条涵盖数十家国产企业的高端半导体供应链高速成长。
设备端加速国产化
长鑫的产线已变成国产高端设备的试金石和演兵场。北方华创的刻蚀机、PVD、CVD、清洗设备在长鑫工艺产线上实现大规模应用;拓荆科技的薄膜沉积设备、华海清科的CMP抛光装备均已成功进入长鑫产线;盛美上海的清洗设备和精智达的检测测试设备也在深度供货。设备国产化率已突破40%。
材料端的协同突破
长鑫与雅克科技(前驱体)、安集科技(抛光液)、晶瑞电材(光刻胶)等材料商深度协作,国产材料在长鑫产线占比已超35%。整体带动超过200家供应链企业实现技术升级。
下游应用的广泛渗透
长鑫的产品已深入国内主要科技企业,客户名单涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业头部企业。国产服务器DRAM采购占比已超40%。

五、机遇与挑战:站在十字路口的国产DRAM
在令人振奋的增长数据背后,长鑫的持续发展仍面临多重挑战与机遇。
市场机遇
AI红利持续释放。 全球存储行业进入新一轮景气周期,AI服务器、高性能计算与大模型训练需求持续快速增长,高性能DRAM已成为AI基础设施中最紧缺的核心器件之一。TrendForce数据显示,全球约70%的DRAM产能已被数据中心锁定。高盛大幅上调DRAM供需缺口预期,认为2026年全球DRAM缺口将达4.9%。
政策与国产替代加码。 政府对集成电路产业实施专项税收优惠,存储企业可享受十年所得税免征红利;国产存储芯片自给率计划从2026年的8%提升至2027年的35%,清晰的发展路径为产业链提供了明确指引。
面临挑战
行业强周期性是最大风险。 当前DRAM价格处于历史高位,但行业具有显著的周期性特征。随着长期产能扩张,三星前高管庆桂显警示:若AI资本支出回报率走低,2028年后需求可能萎缩,届时已铺开的产能将面临价格剧跌风险。
HBM等高端领域仍存差距。 三星、SK海力士在HBM堆叠层数、键合工艺、能效等关键指标上仍领先2-3年。长鑫12层HBM的良率短期内仍低于韩国竞争对手,16层堆叠及混合键合等更先进制程尚待突破。

六、半导体俱乐部 简评:
长鑫存储的故事,既是一个企业的成长叙事,也是中国半导体产业突围的缩影。
它的崛起之路,有三条清晰的线索值得记住:
第一条线索是 “十年磨一剑” 。长鑫用近十年时间,从零起步跨越了全球巨头数十年走完的技术路径。累计研发投入数百亿元,累计亏损超366亿元,换来的是手握数千项核心专利、产品性能跻身国际主流的底气。这不是资本的“赌博”,而是对技术规律和市场规律的深刻敬畏。
第二条线索是 “国资耐心资本与市场化运作者” 的协同。合肥以十年为维度的长期视角陪伴企业成长,不追求短期盈利回报,这种耐心与定力成为长鑫能够穿越漫长投入期的关键支柱——它证明,真正的硬核科技产业,需要的不是追逐短期风口的投机者,而是愿意陪伴马拉松的长期主义者。
第三条线索是 “把握好周期与锻造好内功” 的辩证关系。长鑫的超预期盈利,既有AI需求爆发、存储价格飙升的外部红利,也有产能爬坡、产品高端化、供应链国产化的内在积累。产能利用率从87%拉至95%以上、LPDDR系列占比超过总营收的六成、与超200家国产供应链企业协同突破——这些数字才是穿越周期的真正底气。
但长鑫面临的挑战,本质上也是整个中国高端制造业的共性命题:如何在周期的波峰与波谷之间建立持久的竞争优势?当存储涨价潮退去,真正的考验才刚开始。
长鑫的下一阶段,胜负手不在产能的多寡,而在于能否在HBM、3D FeRAM等下一代存储技术上实现从“跟跑”到“并跑”乃至“领跑”的关键跃升。
更重要的是,长鑫的上市将不仅为自身发展注入资本动能,更将填补A股核心DRAM原厂的稀缺标的,推动半导体板块从概念估值转向业绩兑现。这颗中国存储的“明珠”,能否在全球DRAM版图中持续发光,值得行业持续关注。
<以上,完结。>
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