科创板第二大IPO，长鑫首发过会

发布时间：2026-05-27来源：半导体行业圈

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5月27日，长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。

作为 A 股首家 DRAM 芯片企业，长鑫科技此次IPO拟募资295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

这是科创板开板以来募资规模第二大的IPO项目，仅次于中芯国际2020年上市的532亿元募资。

据招股说明书透露，长鑫存储本次发行拟募资 295 亿元，拟投向三大项目：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目投入 75 亿元、DRAM 存储器技术升级项目投入 180 亿元、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目投入 90 亿元，项目总投资额 345 亿元。

资料显示，长鑫科技2016年在合肥成立，是国内唯一、全球第四家具备完整DRAM设计、制造、封测一体化IDM模式的存储芯片企业。全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家垄断，三家合计占据全球90%以上市场份额，国内每年DRAM进口额度常年逼近原油进口规模，是国内芯片自主化最难突破的核心赛道之一。

2026年一季度，长鑫DRAM全球出货份额提升至8%，国内服务器、PC端DRAM国产化占有率突破30%，产品覆盖DDR5、LPDDR5X、企业级内存，同步布局AI核心HBM高端存储产品，客户囊括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO等国内头部终端与云计算厂商，是实打实的国家战略级硬核科技企业。

根据最新招股书披露，长鑫科技 2026 年一季度业绩迎来爆发式增长：营业收入 508 亿元，同比增长 719.13%；实现净利润 330.12 亿元，同比增长 1268.45%；实现归属于母公司所有者的净利润 247.62 亿元，同比增长 1688.30%。

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