共模半导体发布GM13011：-40V/1.5A低噪声负压LDO，高压大电流散热无忧

近日，国产


模拟




电源


厂商共模


半导体


正式发布全新负压


LDO


产品——

GM13011

。这是一颗支持-40V宽压输入、1.5A大电流输出的微功率低压差


线性稳压器


，在满载工况下仍能保持60µ


VR


MS的超低输出噪声和仅350mV的低压差，同时采用热阻低至14°C/W的TO-263封装，专为工业仪器、医疗设备、


通信


系统等对电源噪声和散热要求极为苛刻的应用场景而设计。

在


电源管理


芯片领域，正压LDO已经非常成熟，但负压LDO一直是个"硬骨头"。原因在于，负压系统的应用场景通常对电压范围、输出


电流


和噪声控制都有极高要求，而这三者之间往往相互矛盾。

比如，要做大电流输出，芯片的功耗就会升高，发热就会加剧，散热就成了大问题。要做低噪声，就需要在


电路设计


上做大量优化，但这又可能牺牲带载能力。要做宽电压输入，芯片内部的耐压结构就要重新设计，成本和复杂度都会上升。

正是因为这些技术难点，长期以来高性能负压LDO市场基本被


ADI


、


TI


等国际大厂垄断。共模半导体GM13011的推出，正是要打破这一局面。

先看输入电压范围。GM13011支持

-1.8V至-40V的宽压输入

，可以直接从-24V工业负压总线取电，无需额外增加前级降压电路。这在


工业控制


、


高压


通信、


测试测量


等场景中非常实用，能大幅简化系统设计。

再看输出能力。GM13011在

1.5A满载条件下仍能稳定工作

，压差仅350mV。这意味着即使在高压差、大电流的极端工况下，芯片也不会因为压降过大而失效，同时350mV的低压差也意味着更低的功耗和更少的发热。

噪声表现是这颗芯片的另一大亮点。在10Hz至100kHz的带宽内，GM13011的输出噪声仅为

60µVRMS

。这是什么概念？对于频谱分析仪、锁相


放大器


、


高精度




ADC


/


DAC


等对电源噪声极度敏感的设备来说，这个噪声水平已经足够低，可以直接为模拟前端供电，无需额外增加滤波电路。

此外，GM13011的静态电流仅为

1.8mA

，关断电流低至

3µA

，在电池供电或低功耗待机场景中优势明显。电源抑制比（PSRR）达到

72dB@120Hz

，能有效滤除前级电源的波动和纹波，为后端负载提供纯净的负压电源。

做过电源设计的


工程师


都知道，高压差加大电流，最怕的就是发热。GM13011在这方面下了大功夫。

芯片提供

TO-263和DFN两种封装

可选。其中TO-263封装的热阻低至

14°C/W

，在同类产品中属于顶尖水平。以一个典型工况为例：-15V输入、-12V输出、1A负载，压差3V，功耗3W。在14°C/W的热阻下，芯片温升仅约42°C，完全在安全范围内。即便是在密封机箱、无风扇工业设备等散热条件恶劣的环境中，也能长期稳定运行。

相比之下，同类竞品的TO-263热阻通常在20°C/W以上，GM13011在散热性能上的优势非常明显。

GM13011提供

-2.5V、-5V、-12V三种固定输出电压

，同时也支持可调模式，通过外部


电阻


分压器可将输出设置在-1.22V至-40V之间的任意值。一颗芯片就能覆盖从低压逻辑供电到高压负压总线的多样化需求，大幅降低客户的选型和BOM成本。

芯片还内置了限流保护（典型值2A）和过温保护（165°C关断，15°C迟滞），最小仅需10µF陶瓷输出


电容


即可稳定工作，无需额外增加ESR电容，进一步简化了


PCB设计


。工作温度范围覆盖

-55°C至+125°C

，满足工业级乃至汽车级应用的严苛环境要求。

GM13011的发布，让共模半导体的负压LDO产品线更加完整。从早期的中低压轻负载产品，到如今覆盖-40V输入、1.5A输出、14°C/W热阻的高性能方案，共模半导体正在用产品实力证明：国产模拟电源，已经有能力在高压、大电流、低噪声这些最难啃的赛道上，与国际大厂正面竞争。