业内首款12层HBM4E样品，出货！

5月29日，三星电子宣布已正式启动业内首款12层堆叠HBM4E工程样品出货，向全球主流AI芯片及服务器客户交付测试版本。

继今年早些时候业界首次大规模生产和商业出货其业界领先的HBM4之后，三星在高端HBM技术迭代上再度抢占先发优势。

图源：三星

作为HBM4的迭代升级产品，HBM4E专为大模型训练、生成式AI、超算等高吞吐算力场景优化，核心硬件指标实现全方位跃升。

本次出货的12层堆叠版本单颗容量可达48GB，相较前代产品容量提升超30%，同时引脚基准速率达14Gbps，可动态拓展至16Gbps，综合传输性能提升20%以上，单堆栈带宽最高可达3.6TB/s，能够有效解决AI算力集群数据吞吐瓶颈。

先进的堆叠封装工艺、升级低功耗DRAM架构，让HBM4E整体能效提升16%，芯片热阻降低14%。大幅改善了高密度AI服务器多芯片堆叠工况下的发热难题，更适配超大规模数据中心的长期高负载运行需求。

三星表示，该芯片采用其最新的1c DRAM工艺技术，即第六代10nm级DRAM，以及三星的4nm代工逻辑基础芯片。

图源：三星

当前全球高端HBM市场由三星、SK海力士、美光三家主导，而HBM4E是三星为重振其在HBM市场的发展势头而做出的努力的一部分。

此前，三星在供应先进的人工智能内存芯片方面落后于SK海力士和美光等竞争对手，尤其是在向英伟达供应芯片方面。

如今，三星在高阶堆叠、高速率HBM产品上技术先发，此次HBM4E提前出样，将进一步拉开技术迭代差距，为其持续绑定英伟达、AMD、谷歌等客户提供支撑。

不过，在三星抢先出样的同时，SK海力士、美光也正全力推进HBM4E研发迭代。

图源：SK海力士

据官方规划与行业披露信息，SK海力士HBM4E同样采用成熟1c纳米DRAM制程，其产品基底芯片将由台积电3nm工艺代工，打造差异化技术方案。

按照进度，SK海力士计划于2026年下半年送出HBM4E样品，并在2027年正式实现量产。

美光同样委托台积电代工，核心DRAM为自研1γ工艺，预计在2027年启动量产。