硬核实力绽放杭州！争妍微电子斩获 IC 设计卓越奖，引领国产功率半导体和模

2026 年 5 月 14 日 - 16 日，以 “链接芯生态，智造新机遇” 为主题的2026 杭州国际


半导体


与


集成电路


产业创新展览会（杭州长芯展）在杭州大会展


中心


盛大启幕。作为国产功率半导体领域的新锐力量，深圳争妍微电子有限公司携全系列功率半导体和


模拟


IC产品矩阵亮相 6B028 展位，并凭借在 IC 设计领域的持续突破与卓越贡献，一举斩获本次展会的IC 设计卓越奖，成为现场备受瞩目的焦点企业。

展会现场，争妍微电子的展台人头攒动，前来咨询交流的行业伙伴络绎不绝。从低损耗


肖特基




二极管


、


超快恢复




整流桥


，


高压


低功率


MOSFET


到驱动IC，全系列产品矩阵直观展现了公司在功率半导体和模拟IC领域的深厚技术积淀。尤其是针对工业


电源


、


新能源


、快充等场景优化的多款器件，凭借低导通损耗、高可靠性的优势，获得了现场客户的高度认可。

在颁奖环节，争妍微电子总经理李学会代表公司领取奖项，并分享了对行业发展的深刻见解。他表示：“当前国产半导体产业正处于从‘跟跑’向‘并跑、领跑’跨越的关键阶段，技术创新与国产化替代是破局的核心路径。” 李学会强调，争妍微电子始终坚持以客户需求为导向，聚焦功率半导体的性能优化与成本控制，通过自主研发与工艺迭代，打造出兼具高可靠性与高性价比的国产器件，助力下游客户实现供应链安全与产品竞争力的双重提升。

谈及本次获奖，李学会表示，这既是行业对争妍微电子技术实力的认可，更是对团队深耕国产功率半导体赛道的激励。他提到：“


AI


与新材料的融合是功率器件产业升级的关键，未来我们将继续加大在第三代半导体、先进封装等领域的研发投入，推动产品向更高电压、更低损耗、更高集成度方向迭代，为新能源、


工业控制


、


汽车电子


等领域提供更优质的国产解决方案。”

从成都国防科技博览会到本次杭州长芯展，争妍微电子凭借稳定的产品品质与持续的技术创新，不断扩大行业影响力。此次斩获 IC 设计卓越奖，不仅印证了公司在 IC 设计领域的硬实力，也彰显了国产半导体企业在关键技术领域的突破潜力。未来，争妍微电子将以此次获奖为新起点，持续深耕功率半导体赛道，为国产半导体产业的高质量发展注入更强动力。