从巨亏到日赚3亿:长鑫科技强势逆袭,单季净利狂飙330亿元!
近日,国产 DRAM 龙头长鑫科技集团股份有限公司(简称 “长鑫科技”)更新科创板 IPO 招股书,一组炸裂数据震动资本市场:2026 年一季度,公司实现营业收入 508 亿元,同比增长 719.13%;净利润 330.12 亿元,同比增幅达 1268.45%;归母净利润 247.62 亿元,同比暴增 1688.30%。
从 2022 年至 2024 年累计亏损超 317 亿元,到单季盈利 330 亿元,从行业寒冬连年亏损,到行情回暖盈利腾飞,长鑫科技用两年时间完成从 “烧钱机器” 到 “利润巨兽” 的蜕变,不仅改写 A 股科技企业盈利格局,更折射出全球存储芯片 “超级周期” 的澎湃浪潮与国产半导体突围的深层逻辑。
国内 DRAM 唯一 IDM 龙头,筑牢产业自主根基
长鑫科技 2016 年落户安徽合肥,是国内唯一、全球第四大 DRAM 全产业链 IDM 企业,专注存储芯片研发、晶圆制造与市场销售,肩负着我国通用内存芯片自主可控的核心产业使命。
经过多年深耕布局,公司现已建成三座 12 英寸高端晶圆生产基地,产能稳步爬坡,2025 年末月产能达 30 万片,2026 年将冲刺 40 万片月产能规模。技术层面实现全面突破,主力 DDR5 内存芯片良率突破 90%,性能对标国际一线产品,同时成功实现 12 层 HBM 高带宽内存量产,顺利切入 AI 算力高端供应链。
目前企业产品矩阵覆盖消费电子、服务器、汽车电子、智能终端等全应用场景,合作客户囊括国内头部数码、科技厂商,全球市场占有率稳步攀升至 7.67%。此次冲刺科创板上市,拟募资 295 亿元,全部用于产能扩建、前沿技术研发与产业链配套建设,持续夯实国产存储龙头地位。
从持续亏损到业绩爆发,五年走势泾渭分明
纵观长鑫科技近年经营财务表现,企业发展清晰历经低谷承压、扭亏筑底、高速爆发三大阶段,经营基本面实现彻底扭转。
行业下行周期内,企业经营持续承压。2022 年公司实现营收 200.7 亿元,经营陷入亏损;2023 年营收小幅上涨至 249.2 亿元,亏损压力进一步加大;2024 年市场行情依旧低迷,营收回落至 241.3 亿元,不过经营状况逐步改善,亏损幅度开始持续收窄。2022 至 2024 年三年时间里,受存储行业整体行情走弱影响,再加上企业产线建设产生高额折旧费用、长期保持高强度研发投入,公司深陷亏损局面,三年累计亏损金额超 317 亿元,经营发展面临较大压力。
随着产业行情迎来转折,企业正式迈入扭亏筑底阶段。2025 年全球存储市场景气度回暖,叠加自身产能持续释放、产品市场认可度提升,公司经营迎来重要拐点,全年营收大幅增长至 618 亿元,同比增幅达到 155.6%,顺利实现全年整体扭亏为盈,彻底走出长期亏损困境,经营发展态势稳步向好。
步入 2026 年,行业迎来全面上行周期,企业正式开启高速爆发模式。对比来看,2025 年一季度公司尚且处于亏损状态,时隔一年经营业绩实现颠覆性突破。2026 年一季度公司单季营收高达 508 亿元,同比大幅增长 719.13%,归母净利润攀升至 247.62 亿元,整体净利润更是达到 330 亿元,日均盈利接近 3 亿元,单季度盈利规模直接抹平此前三年累计亏损。此外,公司同步发布上半年业绩预期,预计年内上半年营收规模将达到 1100 亿至 1200 亿元,归母净利润区间锁定在 500 亿至 570 亿元,超高增长势头稳固确立,盈利空间持续打开。
三重因素铸就业绩爆发,实现百亿级盈利
1. 行业超级周期来临,供需失衡推高产品价格
本轮存储行业上行行情,核心驱动力来自人工智能产业全面崛起。AI 服务器、算力集群对 DRAM 内存需求量远超传统设备,单台 AI 服务器存储用量达到传统服务器 8 至 10 倍,市场刚需呈爆发式增长。
供给端格局同步收紧,三星、SK 海力士、美光三大海外存储巨头,纷纷将高端产能倾斜至高附加值 HBM 产品,大幅削减通用 DRAM 产能投放,直接造成全球通用内存供给缺口扩大。供需严重错配之下,DRAM 芯片市场价格持续暴涨,2025 年末至 2026 年一季度产品合约价累计涨幅超九成,行业整体盈利空间全面打开,长鑫科技充分尽享周期涨价红利。
2. 产能满产叠加成本优势,利润弹性充分释放
当前长鑫科技所有晶圆产线实现满负荷生产,产能利用率稳定保持 95% 以上,一季度产品出货量同比增幅超 200%,产销同步放量。
依托合肥本土完善的半导体产业配套、成熟稳定的制程工艺,企业生产制造成本相比海外同行低 15%—20%,成本优势凸显。伴随产品价格上涨,公司毛利率从 2024 年 12.7% 大幅攀升至 40% 以上。同时企业持续优化产品结构,DDR5、LPDDR5 等高毛利产品占比突破 60%,淘汰低端老旧产品,进一步拉升整体盈利水平。叠加前期经营亏损包袱逐步出清,固定成本分摊压力降低,经营杠杆效应全面释放。
3. 国产替代加速落地,本土市场订单稳固
在国家数字信息安全战略推动下,国内政企市场、消费电子市场、汽车半导体市场全面加快国产存储芯片导入节奏。作为国内唯一量产 DRAM 芯片企业,长鑫科技坐拥庞大本土市场基本盘,优先拿下各类核心订单,市场份额持续提升,为业绩高速增长提供坚实市场支撑。
短期高景气延续,中长期回归稳健增长
1. 短期一至两年:高增长高盈利格局稳固
业内普遍预判,全球存储供需偏紧格局将持续至 2027 年年中,DRAM 产品价格将长期维持高位运行。叠加长鑫科技新增产能持续投产,出货规模持续扩容,企业营收与净利润依旧将保持高速增长,2026 年全年净利润有望突破千亿元,成为 A 股科技产业盈利标杆企业。
2. 中长期三至五年:周期回落,超高利润逐步回归常态
存储芯片具备强周期性行业属性,行情涨跌随产能供给交替切换。未来 2027 至 2028 年,海外存储大厂重启通用 DRAM 产能扩建,叠加国内多条存储产线集中投产,全球存储芯片产能将迎来集中释放,市场供需关系逐步宽松,产品价格或将出现明显回落。
届时行业整体毛利率将回归 15%—25% 正常区间,长鑫科技依靠行业红利形成的超高盈利增速将逐步放缓,企业正式告别纯周期红利盈利模式。
3. 长期发展底气十足,穿越周期稳步成长
即便行业周期进入调整阶段,长鑫科技依旧具备强劲核心竞争力。一方面国产存储自主替代长期趋势不可逆,国内庞大市场持续提供稳定客源;另一方面企业坚持自主研发,持续布局下一代高速内存、高端堆叠存储等前沿技术,不断缩小与国际顶尖企业的技术差距。
未来企业将逐步从周期行情驱动,转向技术驱动、品牌驱动双向发展,稳步提升全球市场份额,向全球一线存储企业稳步迈进。
小结:长鑫科技从连年大额亏损,到单季度斩获 330 亿元净利润,不仅是企业自身经营实力跨越升级的缩影,更是中国存储芯片产业十年磨一剑、厚积薄发的最好印证。
在 AI 产业浪潮、国产替代浪潮、产业政策扶持多重利好加持下,国产存储产业已然迈入黄金发展阶段。未来以长鑫科技为代表的本土半导体企业,将持续打破海外技术与市场垄断,不断完善国内自主可控存储产业链,助力我国半导体产业实现自主自强,在全球数字产业竞争中占据更多主动权。
