五度妙笔
API商城
数据库CSPSD报告前瞻
随着人工智能技术的爆发式增长，数据中心算力需求呈指数级攀升，作为电能转换与控制核心的功率半导体，正迎来前所未有的发展机遇。2026年以来，全球功率半导体行业迎来新一轮涨价潮，AI数据中心成为核心驱动因素。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术，凭借耐高压、耐高温、高频低损耗等特性，正在从高端选配加速走向规模标配。
6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。电子科技大学功率集成技术实验室主任张波受邀将出席论坛，并带来《AI浪潮下功率半导体技术的发展机遇》的主题报告，深度解析AI时代功率半导体的机遇与挑战，以及借势发展之道。
作为国内功率半导体领域的权威专家，张波长期从事功率半导体技术研究，是国内最早入选国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）技术委员会的学者之一。他带领的电子科技大学功率集成技术实验室，拥有深厚的学术积淀。实验室围绕硅基/宽禁带功率半导体理论、新型器件结构、功率集成技术等核心议题开展研究，多项成果达到国际领先水平。此次报告将结合团队最新研究成果，深入剖析AI浪潮下功率半导体技术的发展机遇。
此外，论坛还将汇聚学界专家、头部企业、上下游配套厂商，围绕碳化硅、氮化镓宽禁带半导体材料、高低压电力电子器件、功率集成电路、先进封装等核心主题，共商技术突破、国产替代、供应链安全等关键议题。目前，论文征集、优秀产品征集申报正在同步进行中。
在AI与新能源双轮驱动下，中国功率半导体行业正站在新的历史起点上。论坛将为行业搭建高效交流平台，推动产学研深度融合，加速技术成果落地转化。也诚邀业界同仁共同探讨AI时代功率半导体技术的发展机遇，为产业高质量发展贡献智慧与力量。
嘉宾简介
张波，电子科技大学功率集成技术实验室主任、电子科技大学集成电路研究中心主任、电子薄膜与集成器件全国重点实验室副主任，电子科技大学集成电路科学与工程学院教授、博导。国家级人才入选者，天府杰出科学家，四川省优秀教师，全国“首届优秀研究生指导导师”。兼（曾）任国家“核高基科技重大专项（01专项）”总体组专家、国家“集成电路制造科技重大专项（02专项）”总体组专家、中国电源学会元器件专委会主任等。长期从事功率半导体芯片研究，以第一完成人两次荣获国家科技进步二等奖（2010年度、2023年度），并获国家科技进步三等奖、国家教学成果二等奖等省部级及以上教学科技奖励20余项，发表SCI论文800余篇，授权中美发明专利400余项，带领电子科技大学功率集成技术实验室已培养毕业功率半导体领域1500余名研究生，为全球最大的功率半导体人才培养基地；长期坚持产学研合作，与企业合作开发工艺与产品200余项，为合作企业新增直接经济效益数百亿元人民币，是行业公认的研发创新高地。
单位简介
电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）隶属于电子科技大学集成电路科学与工程学院，为“四川省功率半导体技术工程研究中心”，是“电子薄膜与集成器件全国重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。现有研究人员27人，其中正高19人、副高6人，包括国家级人才5人、国家青年人才4人。被誉为功率半导体领域全球“最大的学术研究团队”、“研究最为全面的学术团队”和“最大的人才培养基地”。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、稿件提交流程
1. 摘要征集阶段
投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；
征文要求：
·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;
·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；
·作者须提交文体规范的论文；
·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。
2. 评审与通知
·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；
·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。
3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）
·提交时间：2026年5月10日-6月10日；
·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。
四、投稿模板及咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986， linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
五、会议日程（拟）
六、会议嘉宾（部分）
七、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
八、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。现将有关事项通知如下：
征集范围
本次征集活动面向在中国地区开展研发、生产及销售业务的功率半导体相关企业，广泛征集在技术创新和优秀市场表现两大核心维度，具备突出优势的功率器件与集成技术相关产品，精准挖掘行业优质成果，助力功率半导体产业高质量发展。
*技术创新维度：重点关注产品在核心技术突破、工艺优化升级、性能指标提升等方面的突出成果，包括但不限于新型功率器件结构研发、集成技术创新、能效提升、可靠性优化等；
*优秀市场表现维度：聚焦产品的市场认可度、销量增长态势、客户口碑、应用场景覆盖广度及市场份额占比等核心指标，凸显产品的市场竞争力与商业化价值。
*征集范围包括但不限于：硅基功率器件与集成技术产品，碳化硅功率器件与集成技术产品，氮化镓、III-V 族化合物半导体功率器件产品，氧化镓/金刚石功率器件产品，功率模组、封装与应用产品，功率器件核心材料、装备及制造相关产品，功率器件 EDA 软件、新材料与交叉领域产品。
产品申报条件
1.申报产品的研发、生产和销售有在中国大陆、香港和澳门地区；
2.申报产品须在技术创新、市场应用与产业贡献方面表现突出；
3.申报产品须为单款产品；
4.申报产品须为上市量产或完成研发且有实物样品；
5.同款产品只能申报一个或首推应用项目类别。
申报程序
1.材料申报。征集通知发出后，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→
https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
2.材料审核。由组委会秘书处汇总各渠道申请材料，对材料进行形式审查，确定有效成果。
3.审定。由大会组委会对申报材料集中审定，最终确定CSPSD2026优秀产品名单。
享受多重福利
1.展示。大会现场设置集中展示区域，助力企业优秀产品参与现场交流合作；
2.路演。针对有融资需求的企业或团队，提供项目路演/产品推介机会；
3.收录。优秀产品将刊登在CSPSD2026手册，并刊登在大会官网长期展示宣传；
4.宣传。所有征集产品将优先在半导体产业网、第三代半导体产业公众号进行推送宣传；
5.对接合作。免费为提交征集表单的企业提供对接服务，助力企业产品销售及产业链合作；
6.其他。......更多福利敬请期待！
九、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
十、联系咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
实验室瞄准国际一流，致力于功率半导体科学和技术研究，研究内容涵盖先进硅基功率半导体分立器件、硅基/SOI基功率集成技术、高可靠/抗辐射功率半导体器件、碳化硅功率半导体及集成技术、氮化镓功率半导体器件与集成技术、超宽禁带半导体氧化镓功率半导体器件及可靠性、高效高集成度电源管理集成电路、功率器件智能栅驱动集成电路和控制系统等。
团队在功率半导体方向共发表SCI收录论文1000余篇，2013年以来，10次在本领域最具影响力国际会议（IEEE ISPSD）论文录取数居全球第一。团队已获授权发明专利1500余项，其中美国专利55项。牵头获2项（2023年、2010年）国家科技进步二等奖、8项省部级科技奖励，连续六年年度到校科研经费超5000万元。
