浙江晶瑞SuperSiC 年产60万片8英寸碳化硅加速投产

2026 年 5 月 21 日，全球能源革命与半导体产业升级浪潮下，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，正迎来大尺寸迭代关键拐点 ——8 英寸 SiC 衬底加速成为产业主流。晶盛机电（300316.SZ）旗下子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（下称 “浙江晶瑞 SuperSiC”）抢抓战略机遇，全面提速年产 60 万片 8 英寸 SiC 衬底项目投产进度，并启动新一期基础设施建设，全力承接 AI、AR 及新能源产业爆发式需求。

当前，SiC 产业已从 “规模扩张” 迈入 “成本与技术双轮驱动” 的深度竞争阶段。下游新能源汽车 800V 高压平台、光伏储能、工业电源、AI 数据中心等领域需求多点共振，拉动 SiC 器件市场持续高增，2026 年全球规模预计突破 40 亿美元。尺寸升级是降本增效核心路径：8 英寸衬底面积较 6 英寸提升 78%，单片可切割芯片数量提升 1.8-2 倍，边缘损耗率从 40% 降至 25%，单片成本降低 35%，良率可提升至 90% 以上，全球头部厂商均已明确 8 英寸产线过渡路线图。

浙江晶瑞SuperSiC 8 英寸SiC扩产设备入场

作为全球知名的化合物半导体材料供应商，浙江晶瑞 SuperSiC 深耕 SiC 领域多年，具备从晶体生长、切磨抛到检测的全链条自研自产能力，核心设备实现自主可控，技术实力行业领先。本次扩产项目实现无人化自动运行和数字化管控，保证车规级SiC晶片的质量稳定可靠性和全线可追溯性，建设成为行业领先的全自动智能工厂。

浙江晶瑞SuperSiC 自动化产线

全球化产能布局同步落地，构建多元供应保障体系。浙江晶瑞 SuperSiC 马来西亚槟城工厂已于 2026 年 1 月实现主体结构封顶，预计2026 年底通线投产。该工厂为晶盛机电首个海外规模化化合物半导体生产基地，一期规划年产能 24 万片 8 英寸 SiC 衬底，依托槟城成熟的半导体产业生态，精准服务全球客户。叠加浙江上虞基地、宁夏银川配套晶体项目，公司将形成 “国内 + 海外” 协同联动的产能矩阵，筑牢全球供应链地位。

浙江晶瑞SuperSiC 马来西亚槟城新制造工厂

2026 年恰逢晶盛机电成立二十周年，站在新起点，公司坚持 **“装备 + 材料” 双轮驱动 ** 核心战略。作为国内半导体设备龙头，晶盛机电持续深化 SiC 全链条自主可控能力，依托全球化产能布局，助力我国半导体材料产业突破技术壁垒、实现高质量发展，推动中国 SiC 材料从 “跟跑、并跑” 向 “全球领跑” 跨越，为全球能源转型与半导体产业升级注入强劲 “晶盛力量”。