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蓝宝石衬底上的氮化镓基HEMT器件凭借其优异的击穿电场、高电子迁移率和耐高温特性，成为高频大功率应用的理想选择。然而，蓝宝石的低热导率严重限制了器件的散热能力和功率密度提升，同时异质外延引入的高密度缺陷也制约着器件可靠性与成品率。因此，针对蓝宝石基HEMT开展热管理优化与缺陷抑制研究，对于突破其功率瓶颈、推动低成本高性能射频与电力电子器件实用化具有重要必要性。
6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员、光电信息材料与器件实验室副主任郭炜将受邀出席论坛，并带来《蓝宝石基高压HEMT器件外延及界面调控研究》的主题报告。
郭炜研究员长期深耕III族氮化物宽禁带半导体材料外延与器件研究，其团队长期聚焦GaN功率器件的关键科学问题，多项相关成果发表于国际顶级期刊，为GaN功率器件的性能优化提供了重要技术路径。 中国科学院宁波材料技术与工程研究所作为国内宽禁带半导体领域的重要研发平台，近年来在第三代半导体材料与器件、钙钛矿叠层光伏等方向接连取得突破性成果，在高效太阳能电池、GaN功率器件等研究领域形成了深厚积累。在半导体器件界面调控、材料制备领域具备强劲研发实力。
报告将围绕蓝宝石基高压HEMT器件界面缺陷调控等核心内容展开分享，系统介绍团队研究的最新进展。涉及磁控-MOCVD混合低温成核层调控对于GaN HEMT晶体质量、应力和器件电学特性的影响。研究通过后处理工艺，实现了2微米以内GaN沟道层（002）和（102）高分辨XRD摇摆曲线半峰宽分别低至53和179弧秒；开发了GaN/AlN大失配外延工艺，成功实现AlN背势垒、超薄GaN沟道的HEMT器件制备，迁移率>2000 cm2/(V s)，有效支撑高频、高压器件应用，避免了传统Fe/C掺杂GaN buffer的陷阱效应；面向HEMT器件表面陷阱态多，实际工况条件下阈值电压漂移、导通电阻退化等问题，提出低损伤数字刻蚀技术，并应用于槽栅HEMT结构，实现了界面态密度Dit<2×10^12 cm-2 eV-1。研究成果详情，敬请关注。
当前全球功率半导体行业正处于技术迭代与需求爆发的叠加期，AI数据中心与新能源汽车双轮驱动行业快速增长，第三代半导体已经成为全球半导体产业竞争的战略制高点。论坛将持续搭建产学研交流对接平台，汇聚领域内最新技术成果与产业资源，助力我国功率半导体产业高质量发展。欢迎业界同仁莅临会场，共同探讨第三代半导体技术发展新机遇。
嘉宾简介
郭炜，研究员，博士生导师。中国科学院宁波材料所光电信息实验室副主任。入选国家高层次青年人才计划、浙江省人才计划等。博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学，曾担任美国应用材料有限公司研发工程师。长期从事氮化物超宽禁带半导体材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区域创新联合基金、面上基金、浙江省杰青、中科院科研仪器设备研制项目等课题。目前在领域权威期刊上发表论文100余篇、引用3000余次、授权发明专利20项。近年来围绕AlN体系宽禁带半导体材料外延质量差、紫外光电子和功率器件效率低等领域瓶颈问题进行研究，基于非平衡态下薄膜准费米能调控原理，研制了面向AlN、AlGaN生长的专用紫外光辅助MOCVD设备；提出了氮化物横向极性结构概念，基于极性调控技术制备了隔离电压>2600V的HEMT器件，并开发了基于AlN背势垒/超薄GaN沟道的HEMT，支撑高压、高频电能转换需求。
单位简介
中国科学院宁波材料技术与工程研究所成立于2004年，是中国科学院在浙江省首个成立的科研机构。宁波材料所搭建了集基础研究、产业技术、工程化、检测评估于一体的全链条创新平台，拥有超16亿元的先进科研装备；建成海洋关键材料全国重点实验室、国家石墨烯创新中心等省部级以上各类平台43个。光电信息材料与器件实验室依托浙江省能源光电材料与器件工程研究中心，布局了光伏、显示及半导体领域的材料与装备研发、器件设计与制备、系统集成与应用，面向国家重大战略需求抢占科技发展国际竞争制高点，目前拥有固定人员50余名，入选国家级人才8人，中国科学院级人才10人，省部级人才9人。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、稿件提交流程
1. 摘要征集阶段
投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；
征文要求：
·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;
·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；
·作者须提交文体规范的论文；
·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。
2. 评审与通知
·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；
·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。
3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）
·提交时间：2026年5月10日-6月10日；
·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。
四、投稿模板及咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986， linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
五、会议日程（拟）
六、会议嘉宾（部分）
七、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
八、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。现将有关事项通知如下：
征集范围
本次征集活动面向在中国地区开展研发、生产及销售业务的功率半导体相关企业，广泛征集在技术创新和优秀市场表现两大核心维度，具备突出优势的功率器件与集成技术相关产品，精准挖掘行业优质成果，助力功率半导体产业高质量发展。
*技术创新维度：重点关注产品在核心技术突破、工艺优化升级、性能指标提升等方面的突出成果，包括但不限于新型功率器件结构研发、集成技术创新、能效提升、可靠性优化等；
*优秀市场表现维度：聚焦产品的市场认可度、销量增长态势、客户口碑、应用场景覆盖广度及市场份额占比等核心指标，凸显产品的市场竞争力与商业化价值。
*征集范围包括但不限于：硅基功率器件与集成技术产品，碳化硅功率器件与集成技术产品，氮化镓、III-V 族化合物半导体功率器件产品，氧化镓/金刚石功率器件产品，功率模组、封装与应用产品，功率器件核心材料、装备及制造相关产品，功率器件 EDA 软件、新材料与交叉领域产品。
产品申报条件
1.申报产品的研发、生产和销售有在中国大陆、香港和澳门地区；
2.申报产品须在技术创新、市场应用与产业贡献方面表现突出；
3.申报产品须为单款产品；
4.申报产品须为上市量产或完成研发且有实物样品；
5.同款产品只能申报一个或首推应用项目类别。
申报程序
1.材料申报。征集通知发出后，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→
https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
2.材料审核。由组委会秘书处汇总各渠道申请材料，对材料进行形式审查，确定有效成果。
3.审定。由大会组委会对申报材料集中审定，最终确定CSPSD2026优秀产品名单。
享受多重福利
1.展示。大会现场设置集中展示区域，助力企业优秀产品参与现场交流合作；
2.路演。针对有融资需求的企业或团队，提供项目路演/产品推介机会；
3.收录。优秀产品将刊登在CSPSD2026手册，并刊登在大会官网长期展示宣传；
4.宣传。所有征集产品将优先在半导体产业网、第三代半导体产业公众号进行推送宣传；
5.对接合作。免费为提交征集表单的企业提供对接服务，助力企业产品销售及产业链合作；
6.其他。......更多福利敬请期待！
九、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
十、联系咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
