CSPSD报告前瞻

氧化镓是制备高性能功率射频器件的核心电子材料。然而，由于其热导率极低不到硅的1/10，严重制约其器件性能。基于智能剥离的异质集成技术无需考虑晶格、晶型失配，可将高质量的氧化镓单晶薄膜与任意高导热衬底异质集成，为氧化镓器件散热提供解决方案。 

6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员徐文慧受邀将出席论坛，并带来《高导热氧化镓异质集成技术研究进展》的主题报告，分享团队在超宽禁带半导体领域突破性成果。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员徐文慧受邀将出席论坛，并带来《高导热氧化镓异质集成技术研究进展》的主题报告，分享团队在超宽禁带半导体领域突破性成果。徐文慧主要从事宽禁带半导体材料与异质集成研究，近年来围绕氧化镓异质集成技术主持多项国家重点研发计划子课题、上海市自然科学基金项目，在国际顶级电子器件会议IEDM等知名期刊发表多篇高水平成果，相关研究获得国家自然科学基金重大项目支持。中国科学院上海微系统所在半导体材料、器件、集成技术领域拥有深厚的技术积累，牵头承担了多项国家半导体领域重大专项，近年来在第三代、第四代半导体方向持续产出原创性成果，为我国功率半导体产业升级提供了重要支撑。本次报告将为学界、业界带来氧化镓相关技术的最新进展。研究显示，目前，已实现4英寸碳化硅基氧化镓异质集成晶圆制备，氧化镓膜厚不均匀性小于2%，XRD摇摆曲线半高宽小于80 arcsec，表面粗糙度小于1nm。利用改良键合技术，可以实现非晶层小于1 nm的高质量异质界面构筑。红外热成像显示，相同功率下，碳化硅基氧化镓器件表面温度仅为氧化镓体材料的1/4。进一步发展XOI晶圆转印集成技术，实现金刚石基阵列化氧化镓单晶薄膜和高性能射频器件制备，器件散热能力提升1个数量级，为大功率氧化镓芯片热管理提供创新解决方案。研究成果详情，敬请期待! 

嘉宾简介

徐文慧，中国科学院特聘骨干岗位副研究员，上海市东方英才计划青年项目和博士后创新人才计划获得者。长期从事高导热Ga2O3异质集成技术研究，攻克了复杂氧化物离子束剥离转移、阵列化薄膜转印等晶圆级异质集成核心工艺，打通了高频、大功率异质集成材料制备技术链条，实现了Si、SiC、金刚石基多种类Ga2O3异质集成材料制备。研究成果包括在国际微电子顶级会议IEDM 2019/2024和IEEE EDL/T-ED、Applied Physics Letters 等有行业权威的期刊上共发表论文40余篇；申请国内外发明专利30项，授权专利15项（包括美、日专利4项）。成果先后获得中国科学院杰出科技成就奖，中国半导体十大研究进展提名奖、2023年度科技创新“十大进展”等奖励。

 一、组织机构

指导单位：

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

主办单位：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

极智半导体产业网

第三代半导体产业

承办单位：

集成电路材料全国重点实验室

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

学术协办：

电子科技大学

南京邮电大学

大会主席：狄增峰

联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰

程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等

组织委员会：

主任：郑理

副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰

委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等

二、主题&征文方向

1.S1-硅基功率器件与集成技术

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；

2.S2-碳化硅功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

5.P1-模组封装与应用技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；

6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；

7.P3-功率器件交叉领域及EDA

基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。

三、稿件提交流程

1. 摘要征集阶段

投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；

征文要求：

·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；

·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;

·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;

·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；

·作者须提交文体规范的论文；

·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。

2. 评审与通知

·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；

·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。

3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）

·提交时间：2026年5月10日-6月10日；

·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。

四、投稿模板及咨询

1.论文投稿

·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。

·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：

   CSPSD2026_摘要要求及模板.doc

   CSPSD2026_POSTER制作要求.docx

   CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf

2.投稿&报告咨询：

郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn

贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com

李老师 18601994986， linan@casmita.com

征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn

五、会议日程（拟）

六、会议嘉宾（部分）

七、拟邀参会单位

中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等

八、优秀功率半导体产品征集

为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。现将有关事项通知如下：

征集范围

本次征集活动面向在中国地区开展研发、生产及销售业务的功率半导体相关企业，广泛征集在技术创新和优秀市场表现两大核心维度，具备突出优势的功率器件与集成技术相关产品，精准挖掘行业优质成果，助力功率半导体产业高质量发展。

*技术创新维度：重点关注产品在核心技术突破、工艺优化升级、性能指标提升等方面的突出成果，包括但不限于新型功率器件结构研发、集成技术创新、能效提升、可靠性优化等；

*优秀市场表现维度：聚焦产品的市场认可度、销量增长态势、客户口碑、应用场景覆盖广度及市场份额占比等核心指标，凸显产品的市场竞争力与商业化价值。

*征集范围包括但不限于：硅基功率器件与集成技术产品，碳化硅功率器件与集成技术产品，氮化镓、III-V 族化合物半导体功率器件产品，氧化镓/金刚石功率器件产品，功率模组、封装与应用产品，功率器件核心材料、装备及制造相关产品，功率器件 EDA 软件、新材料与交叉领域产品。

产品申报条件

1.申报产品的研发、生产和销售有在中国大陆、香港和澳门地区；

2.申报产品须在技术创新、市场应用与产业贡献方面表现突出；

3.申报产品须为单款产品；

4.申报产品须为上市量产或完成研发且有实物样品；

5.同款产品只能申报一个或首推应用项目类别。

申报程序

1.材料申报。征集通知发出后，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→

https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb  

2.材料审核。由组委会秘书处汇总各渠道申请材料，对材料进行形式审查，确定有效成果。

3.审定。由大会组委会对申报材料集中审定，最终确定CSPSD2026优秀产品名单。

享受多重福利

1.展示。大会现场设置集中展示区域，助力企业优秀产品参与现场交流合作；

2.路演。针对有融资需求的企业或团队，提供项目路演/产品推介机会；

3.收录。优秀产品将刊登在CSPSD2026手册，并刊登在大会官网长期展示宣传；

4.宣传。所有征集产品将优先在半导体产业网、第三代半导体产业公众号进行推送宣传；

5.对接合作。免费为提交征集表单的企业提供对接服务，助力企业产品销售及产业链合作；

6.其他。......更多福利敬请期待！

九、注册报名

1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。

2.在线报名

·扫码注册

扫码注册报名

·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form

·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。

十、联系咨询

1.论文投稿

·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。

·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：

   CSPSD2026_摘要要求及模板.doc

   CSPSD2026_POSTER制作要求.docx

   CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf

2.投稿&报告咨询：

郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn

贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com

李老师 18601994986，linan@casmita.com 

征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn 

3.赞助、展示及商务合作

贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

张女士 13681329411，vivi@casmita.com  

4.报名咨询：

芦老师：13601372457，luli@casmita.com