长鑫存储追平韩国巨头！

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6月4日消息，据韩媒报道，中国存储芯片制造商长鑫存储已在HBM3技术上追平三星和SK海力士，中韩两国在HBM领域的差距从此前的多代落后缩至仅3年。

行业消息人士透露，长鑫在技术上已具备HBM3量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。

HBM3是当前AI GPU广泛采用的第三代高带宽内存，NVIDIA H100即搭载该规格，为符合美国出口管制要求，NVIDIA专为中国市场打造的H20 GPU即配备了96GB HBM3，比H100的80GB还多。

报道称，长鑫预计到2026年底将具备月产30万片12英寸晶圆的HBM产能规模，与此同时，长鑫已获得IPO批准，计划募资295亿元用于技术升级等。

不过三星和SK海力士仍有领先优势，当前最新AI芯片已采用HBM3e，今年底厂商将开始签订HBM4合同。

长鑫的核心战略可以用四个字概括：“逆周期投资”。当市场低迷、巨头收缩时，长鑫选择逆势投入，大规模建厂与研发。这种策略看似疯狂，实则精妙。

时机把握是关键。长鑫利用行业低谷期的低成本优势——设备价格更低，人才更容易获取，然后在市场需求（尤其是AI带来的需求）爆发期，精准释放产能。2025年，长鑫的DDR和LPDDR系列产品的价格涨幅分别为61%和24%，销量涨幅分别为282%和65%，营收涨幅分别为515%和106%。

更关键的是，长鑫的产能释放打乱了“三巨头”预设的供需调节节奏。当三星、SK海力士、美光试图通过减产来维持高价时，长鑫的稳定产能输出让“减产保价”策略效力减弱。2026年第一季度，长鑫营收同比增长719%，而三星电子仅增长69%，SK海力士增长198%，美光科技增长190%。长鑫的扩产速度远远快于韩美三巨头。

这种“逆周期”扩张的逻辑背后，是长鑫对行业规律的深刻理解。存储芯片行业常常经历短缺、涨价、扩产、过剩、降价的循环，但AI需求带来的结构性变化正在延长并强化行业上行周期。长鑫抓住了这个时间窗口。

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