存储芯片，价格大涨近1000%！

今年一季度，我国集成电路出口724.7亿美元，同比增长77.5%，其中存储器产品出口459.9亿美元，同比增长174.2%。存储器产品出口高速增长的原因有哪些？

据央视财经报道，深圳一家企业专注于存储器产品出口18年，其80%的产品销往海外。海外销售总监告诉记者，当前存储器市场已进入“卖方市场”，原来海外一线代理商或系统集成商，商务成交门槛很高，现在他们都是主动上门寻求合作，并且下单数量和金额相当可观，公司一季度出口额也大涨至去年同期的3倍。

存储器产品出口激增也传导至供应链服务环节。一家物流企业负责人告诉记者，今年以来公司内存出口相关的业务订单量翻了一倍，单笔货值过亿元的大单明显增多。

深圳南冠物流有限公司副总经理说，“从1月份至今，整体的货运订单量增长超20%，其中内存（出口）订单增长100%，单笔大订单货值过亿元的有五六单。”

业内人士表示，存储器产品出口的爆发式增长，既有全球供需紧张的周期性因素，更有国内存储行业产业链升级、市场份额提升的产业结构性变革等因素。

深圳市电子商会副秘书长表示，跟去年3月份相比，存储器价格涨幅已经达到将近十倍（1000%），甚至还有一些涨幅达十几倍。主要还是因为价格大幅增长，导致（出口）总金额的上升。国产品牌的价格，跟海外品牌有较大的价差，价格是很有竞争力的。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，AI发展从大型模型训练转向以推理为核心的Agentic AI（代理式AI）应用，驱动存储器需求结构性扩张，由于供给缺口短期无法补足，推升价格上涨。因此，TrendForce集邦咨询大幅上调全球存储器产值预估，将2026年产值从前一版的5516亿美元提高至8893亿美元，2027年则预计由8427亿美元上修至逾1.28万亿美元，年增率约44%。

其中，TrendForce集邦咨询上调2026年DRAM产值至6187亿美元，年增率达303%；预计2027年产值将进一步增长至9033亿美元，年增46%。

由于需求强劲但供给紧张，NAND Flash价格获得支撑，TrendForce集邦咨询上修2026年全球NAND Flash产值达2706亿美元，年增高达280.7%，2027年更将进一步扩大至近3794亿美元，持续取得40.2%的年成长。

高盛发布研究观点预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年。

基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NAND ASP则分别增长283%和33%；同时坚持看涨观点：HBM ASP相较于传统DRAM实现“追赶"效应，有望推动其在2027财年实现约50%的同比增幅，并分别带动2026财年、2027财年及2028财年的HBM市场总规模达到560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。

摩根大通认为，存储芯片正从传统的周期性大宗商品转型为AI基础设施的战略核心资产。摩根大通报告指出，将2026至2028年全球储存市场总规模预测较3月模型调高37%至53%，并认为2028年全球内存市场总规模有望达到1.7万亿美元。从产品别来看，DRAM市场收入预估将从2025年的1430亿美元增加至2028年的1.237 万亿美元；NAND市场规模则可望由710亿美元扩大至4545亿美元。

高带宽内存（HBM）市场供需格局同步收紧。摩根大通将2026至2028年HBM市场规模预测上调17%至21%，预计供需缺口将延续至整个2028年，缺口比例维持在两位数百分比水平。定价方面，由HBM3E及HBM4各别上涨19%和15%带动，摩根大通预计2027年混合HBM均价将年增32%，创历史新高，而HBM4E因供应链极度吃紧，定价较HBM3E溢价高达61%。

在存储器供给紧张的背景下，不少企业也在积极扩产。据央视财报从一家存储企业了解到，他们原本的3000平方米的工厂已经扩展到了8000平方米，预计还会再增加四条产线，月产能将提升50%到150%之间，此外，他们也加大研发力度，针对不同行业的特性，推出定制化存储器产品。

事实上，在存储器产品出口高速增长的背后，国内存储企业的技术创新和产业链升级也正在悄然提速。业内人士表示，这一轮AI驱动的“超级周期”，给国产存储行业提供宝贵的“利润反哺研发”窗口期，不少企业正抓住机遇，从“跟随者”向“并跑者”转变。