6月9日，鼎龙股份发布公告称，公司旗下湖北鼎汇微电子材料有限公司全资子公司—湖北鼎龙汇盛新材料有限公司，拟于近期启动潜江园区第三条软抛光垫生产线建设项目。本项目重点布局玻璃基板 CMP 抛光垫与大尺寸（直径大于 2 米）抛光垫两大高端产品方向，规划年产能 30 万片，项目总投资 3,000 万元，预计于 2026 年年底建成投产。

玻璃基板技术（TGV）被广泛认为是替代硅中介层（TSV）的下一代高密度互连技术，其在先进封装、光电共封装（CPO）、高带宽存储器（HBM）等领域拥有广阔应用前景，为把握半导体产业升级、玻璃基板技术迭代、大尺寸衬底等行业机遇，进一步夯实公司半导体CMP 抛光垫主业优势，完善产品布局，鼎龙股份拟投建第三条软抛光垫生产线。

CMP（化学机械抛光）抛光垫按照材料特性可分为硬抛光垫和软抛光垫。硬抛光垫的核心材料为热固性聚氨酯树脂，一般采用浇注成型的方式生产，产品硬度较大。硬抛光垫广泛用于晶圆制造各类 CMP 制程，涵盖浅沟槽隔离（STI）、层间介质（ILD）、钨通孔、铜互连等环节的抛光。

图源：鼎龙股份官微

本次建设的产线聚焦于软抛光垫，该类产品以热塑性聚氨酯树脂为核心材料，主要采用合成革湿法成型工艺生产，产品硬度相对较软。软抛光垫的应用场景丰富，不仅可作为硬抛光垫的缓冲层，还广泛用于晶圆制造各类CMP 制程的精抛、铜阻挡层（Cu barrier）抛光、晶背减薄、大硅片的粗抛和精抛、碳化硅衬底以及其他化合物半导体衬底材料的抛光。此外，软抛光垫在机械硬盘抛光、玻璃抛光等领域亦有广泛应用。

CMP 软抛光垫作为晶圆、大硅片、玻璃基板等产品制造环节的关键耗材，预计 2026 年国内市场规模超 10 亿元，并将在先进制程、先进封装等工艺发展驱动下，行业有望保持较快增长。当前国内 CMP 软抛光垫供应由海外厂商主导，国产化率低。

鼎龙股份软抛光垫产线坐落潜江市江汉盐化工业园，现有两条合成革湿法成型生产线，年产能 50 万片。产线自 2022 年 8 月份投产以来，经过近4 年发展，产品已覆盖硬抛光垫缓冲层、晶圆 CMP 精抛、铜阻挡层（Cu barrier）抛光、晶背减薄、大硅片粗抛和精抛、碳化硅衬底粗抛和精抛等应用领域。目前产能利用率已经接近 80%。现有产能预计将难以匹配下游市场的快速增长以及新技术趋势带来的新产品需求。

图源：鼎龙股份官网

一方面，先进封装技术近年来发展迅猛， CMP 抛光材料成为影响玻璃基板技术规模化量产的关键配套材料。TGV 玻璃基板技术被业内广泛视作替代硅中介层（TSV）的下一代高密度互连技术，具备热匹配性好、互联密度高、高频低损耗等优势。在先进封装、光电共封装（CPO）、高带宽存储器（HBM）等领域拥有广阔应用前景。目前玻璃基板技术已经在部分国际厂商启动初步量产。在玻璃基板技术中，加工形状由圆形转变为方形，且玻璃材质脆性显著高于硅片，这对 CMP 工艺提出全新的挑战，也对 CMP 材料提出了更高的要求。因此，玻璃基板 CMP 抛光垫的研发及量产，将直接影响到玻璃基板技术规模化落地的进程。

另一方面，大尺寸半导体衬底成为主流，客户需求旺盛。鼎龙股份现有的两条软抛光垫生产线设计初衷主要面向晶圆 CMP 相关的应用，受产线幅宽限制，仅能生产直径小于 1.5 米的抛光垫产品。伴随芯片衬底生产工艺的进步，12 英寸大硅片已成主流；8 英寸碳化硅衬底已实现规模化量产，12 英寸碳化硅衬底亦完成研发落地。上述大尺寸衬底的粗抛环节，均需配套大尺寸抛光垫，最大直径超2米。

此外，鼎龙股份位于武汉市经济技术开发区的硬抛光垫生产线，月产能已于2026年一季度提升至 5 万片。后续随着硬垫产量提升对缓冲垫需求带动，以及下游客户新产能释放带来的各类需求，公司的 CMP 软抛光垫需求量预计将持续提升。

所以，本次投建第三条软抛光垫生产线，将进一步丰富鼎龙股份CMP 抛光垫产品矩阵，全面覆盖衬底制造、晶圆制造和先进封装领域的产业需求，是鼎龙股份长期深耕半导体材料、坚持自主创新的重要布局。

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