英飞凌产品在中国禁售

发布时间：2026-06-16来源：半导体行业圈

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国产氮化镓器件商英诺赛科12日晚宣布，2026 年 6 月 12 日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得了专利侵权案的最终胜利。

本案起源于2025年初，英诺赛科向苏州中院起诉英飞凌中国子公司及代理商，指控其侵犯两项自主研发的氮化镓核心发明专利，涉及功率半导体关键技术。这两项专利均与氮化镓功率器件及其制备方法相关，是英诺赛科在第三代半导体领域的重要技术成果。

2026 年 5 月 27 日，苏州中院针对英诺赛科起诉英飞凌发明专利侵权案做出英诺赛科胜诉的判决：英飞凌被判侵犯英诺赛科的两项氮化镓核心发明专利，并判英飞凌立即停止包括销售、许诺销售、进口等行为，并赔偿英诺赛科损失合计 1000 万元，立即生效。

对此，英飞凌不服判决，向最高人民法院申请复议。

值得注意的是，在侵权诉讼推进的同时，英飞凌也在另一条战线发起反击——向中国国家知识产权局（CNIPA）请求宣告英诺赛科的两项专利无效。

2025年11月19日，CNIPA作出裁定，全面维持英诺赛科两项核心发明专利的有效性。英飞凌随即向北京知识产权法院提起行政诉讼。

2026年4月，北京知识产权法院作出判决，全面驳回英飞凌的诉讼请求，从司法层面确认了英诺赛科两项氮化镓专利的有效性。

北京知识产权法院的判决为英诺赛科后续的侵权诉讼扫清了关键障碍——专利权有效性是侵权认定的前提。

基于此，2026年6月12日，最高法正式发出临时禁令复议裁定书，驳回英飞凌全部复议请求，维持苏州中院的禁令判决。

英诺赛科（Innoscience，shturl.c）是中国本土、全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体 IDM 企业，2015 年由骆薇薇博士创立，总部位于珠海，在苏州、珠海建有全球仅有的两座 8 英寸硅基氮化镓量产晶圆厂。公司为全球首家实现 8 英寸 GaN 量产的厂商，技术覆盖 15V–1200V 全电压谱系，产品包括 GaN 功率器件、IC 及模组，广泛应用于消费快充、数据中心、新能源汽车及工业电源等领域。截至 2025 年底，英诺赛科 GaN 功率器件出货量累计超 20 亿颗，全球市占率约 33.7%，位居第一。

英飞凌诉英诺赛科专利侵权,要求获得永久禁令及损害赔偿!

英飞凌（Infineon Technologies AG）是总部位于德国慕尼黑的全球半导体巨头，1999 年从西门子半导体部门独立，目前为全球功率半导体、车规芯片领域龙头企业，业务覆盖汽车电子、工业控制、电源管理、安全芯片四大板块。其推出的 CoolGaN™氮化镓系列产品广泛应用于消费快充、服务器电源、光伏逆变等场景，也是第三代半导体氮化镓技术的主要厂商之一。近期该公司因两项氮化镓核心专利侵权纠纷，其相关 GaN 产品被中国法院裁定在境内禁止销售、进口与许诺销售。

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