镓仁半导体推出高性能氧化镓薄膜外延片，赋能器件研制

一、晶体质量达到国际先进水平。晶圆内5点XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）均低于30 arcsec，证实外延缺陷密度低，结晶完整性良好，为器件的高迁移率提供了可靠保障。这意味着电子在材料中的输运更为顺畅，器件可在更高频率下稳定工作，射频性能与功率转换效率得以同步提升。

图1 镓仁半导体薄膜外延片XRD摇摆曲线及对应点位测试结果

二、表面形貌平坦，AFM测得表面粗糙度为0.35 nm，可满足光刻、刻蚀等精密工艺对平整度的严苛要求，有效降低工艺偏差、提高器件良率，并有助于提升图形转移精度，最终增强成品一致性与可靠性。

图2 镓仁半导体薄膜外延片AFM图

三、电学性能优异，工艺适配性强。常规外延片迁移率高达130~184 cm²/Vs，确保器件电学参数稳定可复现。此外，载流子浓度可按客户需求灵活定制，覆盖功率器件、射频器件等不同应用场景，满足差异化性能需求，助力客户高效推进器件研发进程。

图3 镓仁半导体薄膜外延片霍尔测试结果

衬底晶面取向、外延层厚度、载流子浓度等参数均可依据客户器件设计需求进行按需定制，如需了解更多产品细节，欢迎咨询本公司销售与技术支持团队。