三星电子正式发布UFS 5.0通用闪存存储产品 专为端侧AI场景深度优化

近日，


三星


电子正式官宣成功研发全球首款面向设备端


人工智能


应用的通用闪存存储UFS 5.0产品系列，这是行业内首款达到该规格的闪存解决方案，为下一代移动终端的端侧


AI


体验树立了全新的性能标杆。

这款产品基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术开发，严格遵循JEDEC组织最新发布的


嵌入式


存储


接口


规范，核心性能实现了跨越式提升：理论数据传输带宽达到‌

10.8GB/s

‌，顺序读取速度为10.8GB/s，顺序写入速度为9.


5G


B/s，整体性能较前代UFS 4.1提升一倍，能够快速处理端侧AI运行时产生的海量数据，大幅降低大语言模型加载与运行的延迟。

在能效与体积优化上，UFS 5.0相较上一代产品能效提升超过40%，通过引入


时钟


门控和多电压调节两项关键技术，在保障高性能输出的同时，大幅降低了传输同等数据量的功耗与发热。产品封装尺寸仅为7.5毫米×13毫米×0.9毫米，较上一代缩小16.7%，更紧凑的结构为


智能手机


、可穿戴设备及扩展现实终端等空间受限场景提供了更高的设计自由度与内部空间利用率，单颗芯片最高支持1TB存储容量。

按照三星的量产规划，UFS 5.0将于2026年第四季度正式启动大规模量产，首批供货将面向旗舰级智能手机、扩展现实头显及新一代AI驱动的可穿戴设备等前沿终端市场。三星电子存储器事业部高级副总裁崔章锡表示，在设备端人工智能加速普及的当下，存储性能已成为影响终端AI体验的核心要素之一，UFS 5.0的推出将为下一代移动终端的高效AI体验提供坚实的存储支撑。根据市场研究机构统计，2026年第一季度三星电子在NAND闪存市场占有率达31.6%，营收约为135亿美元，环比增长104.7%，行业龙头地位进一步巩固。