SK keyfoundry推出双向SCR片上EMC保护技术

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日正式对外公布，成功自主研发出“基于双向SCR的片上


EMC


保护技术”，为汽车


半导体


的高可靠运行提供了全新的底层技术支撑。

随着车载电子系统集成密度持续攀升，汽车芯片需要在极端电应力、宽温域波动的严苛工况下长期稳定工作，传统仅能覆盖芯片生产、封装环节瞬时静电冲击的


ESD


防护方案，早已无法适配整车系统级的


电磁兼容


要求。SK keyfoundry此次推出的全新技术，依托独特的双向


可控硅


整流器结构设计，实现了防护性能的多重突破：支持触发电压灵活调节，兼顾高钳位能力与低漏电指标，可适配不同类型车规芯片的差异化防护需求；具备出色的大电流处理能力，能够从容应对


汽车电子


系统中常见的各类瞬态


高压


冲击；同时拥有极高的结构面积效率，在芯片有限的物理空间内即可完成优化的防护布局，完美适配车规功率芯片的高集成度设计要求。

作为完全集成在芯片内部的原生防护方案，这项技术无需额外外挂


TVS


瞬态电压抑制


二极管


等外部保护元件，既可以精简芯片外围电路、缩小整体封装面积，又能直接在芯片端完成系统级EMC管控，完全满足ISO 10605汽车电子电磁兼容标准，在-40℃至150℃的全工况宽温区间内，都能始终保持稳定的防护性能。

目前这项全新的片上EMC保护技术，已经正式集成到SK keyfoundry的0.13微米BCD工艺平台中，该工艺本身早已取得AEC-Q100 Grade-0车规


认证


，最高支持120V高压器件制造。新增标准化片上EMC防护IP后，整套工艺面向车规功率芯片的可靠性指标进一步完善，可直接适配


新能源


车


电源管理


芯片、隔离


驱动芯片


、总线收发器等核心器件的开发需求。无晶圆厂设计企业调用该标准化防护IP即可直接完成流片，无需单独投入资源开发专属防护电路，大幅降低了车规芯片的研发门槛与周期。

SK keyfoundry相关负责人表示，这项技术是其多年深耕汽车BCD工艺技术与先进EMC/ESD保护设计能力结合的里程碑成果，后续品牌还将持续扩展高压LDMOS、BJT、SCR等全系列保护器件产品线，进一步强化在汽车


PMIC


、


电机驱动器


、功率控制IC等高可靠性汽车应用领域的市场竞争力，巩固自身差异化的特色晶圆代工优势。