技术突破再添硕果｜争妍微电子亮相苏州功率半导体大会，斩获 “2026 年中国半

2026 年 6 月 26 日，全国功率


半导体




新能源


创新应用大会暨全国玻璃基板 (TGV) 技术与先进封装


产业论坛


在江苏苏州隆重召开。本次行业盛会汇聚三十位高校教授、科研院所专家与龙头企业技术嘉宾，共同探讨功率半导体、宽禁带器件与先进封装技术的发展方向。深圳争妍微电子受邀参会并发表主题演讲，同时斩获 “2026 年中国半导体产业链技术突破奖”。

华东地区电子产业根基雄厚，苏州更是国内半导体产业高地，产业链配套完善、市场需求旺盛。此次来苏州参展，是争妍微电子开拓和布局华东市场的重要举措。

在技术演讲环节，深圳争妍微电子总经理李学会做了“争妍微电子功率器件新品发布会”的报告，公司发布了FRD、碳化硅和


氮化镓


三款产品。这三款产品依托企业四大核心技术打造，精准匹配


AI


算力液冷


电源


、车载


逆变器


、工业储能等高端场景需求。超低反向恢复电荷 FRD 可以大幅降低高频开关损耗；碳化硅器件可兼容传统


驱动电路


，降低整机改造成本；氮化镓产品有效抑制高温工况下导通电阻漂移，很好解决了高密度电源长期高负载运行的可靠性难题，为国产功率器件进口替代提供全新方案。

本次


论坛


群星云集，行业大咖同台论道。中车时代半导体科学家和主任刘国友，演讲题目：AI智能时代功率半导体创新与挑战；浙江大学先进半导体研究院演讲题目：碳化硅厚膜外延及其缺陷构型调控；安徽芯塔电子董事长倪炜江演讲题目：碳化硅器件在SST中的应用与挑战。中科院微电子研究所副总工夏洋；


英飞凌


（中国）技术专家沈剑鸿 演讲题目：Smart技术在新能源汽车逆变器中的应用。总共有三十位行业大学教授和企业嘉宾发表了热情洋溢、振奋人心的技术演讲。

立足本次苏州行业峰会，争妍微电子将持续深耕华东新能源、工控与算力电源市场，依托自研 FRD、碳化硅、氮化镓全系列器件，持续打磨高可靠性功率半导体方案，不断深化与华东终端厂商的产业合作，以技术创新助力国内功率半导体产业链自主可控。