DDR4 8Gb第3季涨超50%

发布时间：2026-07-08来源：芯极速

供应链消息显示，2026年第三季度存储芯片合约价现已敲定，DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash也将调涨35%至40%。受下游终端需求结构变迁影响，不同容量规格存储芯片行情呈现明显分化。

DDR4领域，AI推理、大型数据中心加速普及大容量存储方案，推动企业级固态硬盘（eSSD）向16TB至30TB乃至更大容量迭代。为满足高随机读写、低延迟运行需求，企业级eSSD普遍采用“每1TB NAND搭配1GB DRAM”的配置方案，直接造成DDR4 8Gb芯片供需缺口或将持续两年之久。

受产能紧缺影响，业内透露，台系存储厂商已向客户下发调价通知，三季度DDR4 8Gb合约价环比二季度大涨50%，大幅突破前期市场预期区间，台厂同规格DDR4报价现已高于三星。反观DDR4 16Gb，尽管现货价格维持高位，但该型号主要供给PC市场，当前电脑终端需求走弱，限制了其合约价上调空间。

业内分析称，三大国际存储原厂均逐步缩减DDR4产能布局：三星仅为少量长期核心客户保留产线；美光近期在美国弗吉尼亚州马纳萨斯工厂投产1α制程DDR4、LPDDR4产线，仅用于保障汽车、军工航空、医疗等领域供货。在此背景下，AI推理拉动企业级eSSD需求爆发，DDR4产能难以匹配市场缺口。

除DDR4 8Gb涨势强劲外，DDR3合约价格同步延续上行通道。DDR3 4Gb与DDR4 4Gb在网通、电视终端应用高度重合，下半年网通订单预期向好，叠加设备规格限制，DDR3需求持续火热。此前电视厂商曾批量切换至DDR4 8Gb方案，而伴随DDR4价格持续走高，大批下游客户回流选用DDR3 4Gb。

7月初现货市场数据显示，DDR3 4Gb（512Mx8）均价12.75美元（折合人民币86.72元），DDR5 16Gb（2Gx8）均价47.07美元（折合人民币320.16 元）。折算单位容量成本，DDR3 4Gb每Gb单价约3.19美元（折合人民币21.70元），高于DDR5 16Gb每Gb 2.94美元（折合人民币20.00元）。稀缺性主导定价逻辑，老旧存储单位比特成本已然超过主流DDR5产品，行业长尾行情凸显。

供应链进一步指出，NAND闪存同样紧缺：2026年初至今SLC NAND半年涨幅翻倍，MLC NAND亦成为市场紧俏品类。机构判断，存储整体涨价周期未结束，下半年SLC、MLC NAND仍具备涨价空间。

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