瑞银：预计存储芯片价格将上涨30%！DRAM供不应求将至2028！

瑞银集团(UBS)最新发布7月《存储芯片月度报告》指出，全球内存芯片市场刚创下历史最佳单月表现，单月销售额达746亿美元，环比增长31.7%，刷新历史纪录。

随着人工智能(AI)带动高效能运算与数据中心需求快速攀升，以及长期供货协议(LTA)持续签订，瑞银认为内存产业景气循环正持续升温，全球结构性供应不足最快也要到2028年中才可能缓解。

报告细分数据指出，DRAM仍是内存市场最大产品类别，单月销售额约480亿美元，较前月成长27.7%；NAND Flash表现更为强劲，单月营收达258亿美元，月增40.7%，同样创下历史新高。

NAND Flash是固态硬盘(SSD)及数据中心储存设备的核心组件。随着AI模型训练与推论运算快速增加，企业对高容量、高效能储存设备需求同步爆发，成为推升NAND市场的重要动能。

整体而言，瑞银预估2026年全球内存产业营收将达9920亿美元，2027年更将大幅成长至约1.76兆美元，几乎较前一年翻倍。

报告指出，本轮内存景气最重要的成长引擎来自高带宽内存(HBM)。HBM主要搭配AI加速器使用，包括英伟达AIGPU等产品，目前已成为AI服务器不可或缺的重要零组件。

瑞银预估，2026年HBM需求将年增90%，达331亿Gb；2027年需求可望再成长77%，进一步攀升至587亿Gb，反映AI基础建设仍将持续高速扩张。

在供货商方面，瑞银认为，美光科技、三星电子及SK海力士将是本轮内存价格上涨的最大受惠者。三家公司目前合计掌握全球绝大部分DRAM及NAND Flash供应能力，在供给吃紧下，获利能力可望持续改善。

瑞银指出，全球大型云端服务业者仍将持续扩大AI数据中心投资，带动内存需求维持高档，因此内存市场的结构性供应不足至少将持续至2028年第二季。

价格方面，瑞银同步上修DDR内存合约价格预估，预期2026年第三季将较前一季上涨32%，第四季再上涨18%；NAND Flash价格也可望同步走强，第三季预估上涨30%，第四季续涨12%。

供需结构方面，瑞银预估2027年全球DRAM需求将年增36.2%，但供给仅增加19.3%，需求增速几乎是供给的两倍，因此供需缺口短期内难以改善，也是支撑价格持续上涨的重要因素。

不过，瑞银也提醒，AI投资热潮并非毫无风险。报告指出，目前最大的不确定因素并非供给，而是客户对持续涨价的承受能力，以及AI相关资本支出是否能长期维持高成长。

瑞银表示，超大型云端服务商(Hyperscaler)未来是否持续投入AI数据中心建设，仍将是决定本轮内存超级景气周期能否延续的关键变量。若AI资本支出放缓，可能影响内存需求增速，进而改变目前市场对供需缺口及价格上涨的预期。

尽管如此，瑞银认为，目前AI带动的内存需求仍远高于供给增速，整体产业基本面并未改变，HBM、DRAM及NAND市场仍处于结构性供不应求阶段。