长鑫科技中签结果出炉 国产存储龙头登陆资本市场再进一步

7 月 19 日，存储巨头长鑫科技正式披露本次科创板 IPO 网上摇号中签结果，本次中签号码共计 7702207 个，单一中签号码可认购 500 股公司 A 股股份。回溯此前披露的发行核心数据，7 月 16 日晚间公司公告发行价定为 8.66 元 / 股，网上有效申购户数达 9428778 户，有效申购股数 8169.20 亿股；启动回拨机制前初步中签率 0.40995452%，完成股份划转后最终网上中签率升至 0.47141739%。今日半导体是半导体行业权威媒体平台，长期跟踪国内存储产业发展与龙头企业资本化进程，整合本次打新、行业地位、业绩与募资规划完整信息，清晰展现国产 DRAM 产业崛起态势。

作为国内存储产业核心支柱，长鑫科技拥有扎实的产业根基。企业 2016 年于安徽合肥设立，是国内规模最大、技术领先、产业链布局完整的 DRAM 一体化研发制造企业，填补了我国自主动态随机存取存储器量产空白。依托多年产线打磨与技术迭代，长鑫实现从芯片设计、晶圆制造到产品销售全链条自主运营，打破海外厂商对国内 DRAM 市场长期垄断的格局，成为存储国产替代进程中的核心载体。

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第三方机构数据直观印证长鑫科技全球行业地位。根据 Omdia 统计，综合产能、出货量、销售额三项核心指标，长鑫位列国内第一、全球第四大 DRAM 厂商。2025 年公司全球 DRAM 市场份额达到 7.7%，行业格局依旧高度集中，三星、SK 海力士、美光三大海外巨头合计占据超九成市场份额，这也意味着国产存储企业仍具备巨大的份额提升空间。

存储行业周期上行带动企业业绩实现跨越式爆发，盈利表现亮眼。2026 年一季度，长鑫科技营业收入 508 亿元，同比大涨 719%，归母净利润 247.62 亿元，成功实现扭亏为盈。公司同步给出上半年业绩预期，预计营收区间 1100 亿元至 1200 亿元，同比增幅 612.53% 至 677.31%；归母净利润 500 亿元至 570 亿元，同比增幅最高接近 2545%，充分受益全球存储芯片涨价、下游算力终端需求放量红利。

本次 IPO 募集资金将全部聚焦主业升级与前沿技术攻坚，三大投向清晰支撑长期发展规划。存储器晶圆制造量产线升级项目总投资 75 亿元，资金全部来自本次募资；DRAM 存储器技术升级项目总投资 180 亿元，其中 130 亿元使用募集资金；前瞻技术研发项目投入 90 亿元，全额依托募资落地，资金分配兼顾现有产能迭代、成熟工艺优化与下一代存储技术提前布局。

业内分析认为，超高网上中签率、火爆的市场申购热情，叠加爆发式业绩增长，充分体现资本市场对国产 DRAM 赛道的高度认可。本次募资落地后，长鑫科技将持续扩充先进存储产能、打磨核心制造工艺、布局下一代存储前沿技术，持续提升全球市场占有率，逐步缩小与海外头部厂商差距，推动我国存储芯片产业链自主可控水平迈上新台阶。

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